Запис Детальніше

ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль
EMF in si structures with p-n-junction under laser shock waves action
 
Creator Нікіфоров, Ю. М.
 
Contributor Національний університет "Львівська політехніка"
 
Subject 539.12.04+621.378.325
 
Description Досліджувалась генерація ЕРС в кристалах кремнію з р-п-переходом під впливом лазерних ударних хвиль малої амплітуди в двох схемних режимах. Оцінена концентрація та проаналізована природа появи нерівноважних носіїв, що викликають ЕРС. Electromotive force (EMF) génération by weak laser shock waves in silicon crystals with p-n-junction was observed. The concentration of non-equilibrium carriers, which induced EMF, was estimated and analyzed.
 
Date 2018-03-12T13:29:18Z
2018-03-12T13:29:18Z
2002
 
Type Article
 
Identifier Нікіфоров Ю. М. ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль / Ю. М. Нікіфоров // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 91–97. – Бібліографія: 5 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39593
 
Language uk
 
Relation 1. Nikiforov Y., Yakovyna V., Berchenko N. / / Materials science and engineering A. - 2000. - 288. - P. 173-176. 2. Ковалюк Б.П., Никифоров Ю.Н., Янушкевич B.A. / / Физика и химия обработки материалов. - 1993. - 4. - С. 14-17. 3. Янушкевич В.А., Полянинов А.В., Пруцков Е.Г., Полыгалов ГА. / / Изв. А Н СССР. Серия физическая. - 1985. - 49. - С. 1146-1152. 4. Tyagi M.S. Introduction to semiconductor materials and devices. - N.Y., 1991. 5. Sze S.M. Physics o f semiconductor Devices. - N.Y., 1981.
 
Rights Нікіфоров Ю. М., 2002
 
Format 91-97
application/pdf
 
Coverage UA
Львів
 
Publisher Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"