Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, def...
Збережено в:
| Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
|---|---|
| Дата: | 2023 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Організація
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2023006 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20230062023-06-14T19:08:59Z Features of the Generation of Energy States in the Lu1 – xVxNiSb Semiconductor Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Plevachuk, Y.O. Horyn, A.M. Pashkevych, V.Z. Haraniuk, P.I. рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термо-ерс Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, defects of the acceptor or donor nature are generated in the crystal structure of the Lu1−xVxNiSb solid solution, and the corresponding energy states appear in the band gap ϵg. The concentration ratio of donor-acceptor states determines the position of the Fermi level ϵF and the mechanisms of electrical conductivity of Lu1−xVxNiSb. The results of the modeling of thermodynamic and transport properties of the semiconductor are consistent with experimental data. Understanding the mechanism of energy state generation in the semiconductor Lu1−xVxNiSb allows the modeling and production of new thermoelectric materials with a high efficiency of converting the thermal energy into the electrical one. Комплексне дослiдження кристалiчної та електронної стру-ктур, термодинамiчних, кiнетичних, енергетичних та магнiтних властивостей напiвпровiдника Lu1−xVxNiSb, x = 0–0,10 встановило можливiсть домiшкових атомiв V одночасно займати рiзнi кристалографiчнi позицiї. При цьому у структурi Lu1−xVxNiSb генеруються дефекти акцепторної та донорної природи, а в забороненiй зонi ϵg з’являються вiдповiднi енергетичнi стани. Спiввiдношення концентрацiй донорно-акцепторних станiв визначає по-ложення рiвня Фермi ϵF та механiзми електропровiдностi Lu1−xVxNiSb. Результати моделювання властивостей напiвпровiдника узгоджуються з даними експериментальних дослiджень. Розумiння механiзму генерування енергетичних станiв у напiвпровiднику у Lu1−xVxNiSb дозволяє моделювати та отримувати новi термоелектричнi матерiали з високою ефективнiстю перетворення теплової енергiї в електричну. Publishing house "Academperiodika" 2023-06-14 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006 10.15407/ujpe68.4.274 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 4 (2023); 274 Український фізичний журнал; Том 68 № 4 (2023); 274 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe68.4 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006/2979 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термо-ерс Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient |
| spellingShingle |
рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термо-ерс Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Plevachuk, Y.O. Horyn, A.M. Pashkevych, V.Z. Haraniuk, P.I. Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb |
| topic_facet |
рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термо-ерс Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient |
| format |
Article |
| author |
Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Plevachuk, Y.O. Horyn, A.M. Pashkevych, V.Z. Haraniuk, P.I. |
| author_facet |
Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Plevachuk, Y.O. Horyn, A.M. Pashkevych, V.Z. Haraniuk, P.I. |
| author_sort |
Romaka, V.V. |
| title |
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb |
| title_short |
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb |
| title_full |
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb |
| title_fullStr |
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb |
| title_full_unstemmed |
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb |
| title_sort |
особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику lu1 – xvxnisb |
| title_alt |
Features of the Generation of Energy States in the Lu1 – xVxNiSb Semiconductor |
| description |
A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, defects of the acceptor or donor nature are generated in the crystal structure of the Lu1−xVxNiSb solid solution, and the corresponding energy states appear in the band gap ϵg. The concentration ratio of donor-acceptor states determines the position of the Fermi level ϵF and the mechanisms of electrical conductivity of Lu1−xVxNiSb. The results of the modeling of thermodynamic and transport properties of the semiconductor are consistent with experimental data. Understanding the mechanism of energy state generation in the semiconductor Lu1−xVxNiSb allows the modeling and production of new thermoelectric materials with a high efficiency of converting the thermal energy into the electrical one. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2023 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006 |
| work_keys_str_mv |
AT romakavv featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT romakava featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT stadnykyuv featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT romakalp featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT plevachukyo featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT horynam featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT pashkevychvz featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT haraniukpi featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor AT romakavv osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT romakava osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT stadnykyuv osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT romakalp osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT plevachukyo osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT horynam osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT pashkevychvz osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb AT haraniukpi osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb |
| first_indexed |
2023-10-18T23:28:02Z |
| last_indexed |
2023-10-18T23:28:02Z |
| _version_ |
1804810388580073472 |