Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb

A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, def...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Publishing house "Academperiodika"
Дата:2023
Автори: Romaka, V.V., Romaka, V.A., Stadnyk, Yu.V., Romaka, L.P., Plevachuk, Y.O., Horyn, A.M., Pashkevych, V.Z., Haraniuk, P.I.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2023
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Організація

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси