Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд

Дано огляд експериментальних робiт зi створення сучасних фотокатодiв чи ефективних катодiв для польової емiсiї зi зниженою роботою виходу або низькою/негативною електронною спорiдненiстю. Викладено теоретичнi моделi для опису зниження електронної спорiдненостi пiд впливом заряджених шарiв на поверхн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Publishing house "Academperiodika"
Дата:2023
Автори: Strikha, M.V., Goriachko, A.M.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2023
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023194
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Організація

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2023194
record_format ojs
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
Ukrainian
topic surface
work function
electron affinity
cathode
dipole layer
поверхня
робота виходу
електронна спорiдненiсть
катод
дипольний шар
spellingShingle surface
work function
electron affinity
cathode
dipole layer
поверхня
робота виходу
електронна спорiдненiсть
катод
дипольний шар
Strikha, M.V.
Goriachko, A.M.
Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд
topic_facet surface
work function
electron affinity
cathode
dipole layer
поверхня
робота виходу
електронна спорiдненiсть
катод
дипольний шар
format Article
author Strikha, M.V.
Goriachko, A.M.
author_facet Strikha, M.V.
Goriachko, A.M.
author_sort Strikha, M.V.
title Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд
title_short Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд
title_full Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд
title_fullStr Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд
title_full_unstemmed Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд
title_sort поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. огляд
title_alt Surfaces with Lowered Electron Work Function: Problems of Their Creation and Theoretical Description. A Review
description Дано огляд експериментальних робiт зi створення сучасних фотокатодiв чи ефективних катодiв для польової емiсiї зi зниженою роботою виходу або низькою/негативною електронною спорiдненiстю. Викладено теоретичнi моделi для опису зниження електронної спорiдненостi пiд впливом заряджених шарiв на поверхнi напiвпровiдника/дiелектрика.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2023
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023194
work_keys_str_mv AT strikhamv poverhnízízniženoûrobotoûvihoduproblemistvorennâtateoretičnogoopisuoglâd
AT goriachkoam poverhnízízniženoûrobotoûvihoduproblemistvorennâtateoretičnogoopisuoglâd
AT strikhamv surfaceswithloweredelectronworkfunctionproblemsoftheircreationandtheoreticaldescriptionareview
AT goriachkoam surfaceswithloweredelectronworkfunctionproblemsoftheircreationandtheoreticaldescriptionareview
first_indexed 2023-10-18T23:28:07Z
last_indexed 2023-10-18T23:28:07Z
_version_ 1804810397629284352
spelling ujp2-article-20231942023-10-02T14:43:29Z Поверхні зі зниженою роботою виходу: проблеми створення та теоретичного опису. Огляд Surfaces with Lowered Electron Work Function: Problems of Their Creation and Theoretical Description. A Review Strikha, M.V. Goriachko, A.M. surface work function electron affinity cathode dipole layer поверхня робота виходу електронна спорiдненiсть катод дипольний шар Дано огляд експериментальних робiт зi створення сучасних фотокатодiв чи ефективних катодiв для польової емiсiї зi зниженою роботою виходу або низькою/негативною електронною спорiдненiстю. Викладено теоретичнi моделi для опису зниження електронної спорiдненостi пiд впливом заряджених шарiв на поверхнi напiвпровiдника/дiелектрика. Experimental studies devoted to the creation of the modern photocathodes or efficient field emission cathodes with lowered work function or low/negative electron affinity are reviewed. We present theoretical models, where the electron affinity lowering is associated with the influence of electrically charged layers at the semiconductor/insulator interface. Modern experimental techniques of measuring the work function or the electron affinity and technologies aimed at fabricating the surfaces with low work function/electron affinity are described. In the framework of a simple theoretical model developed by the authors, it has been demonstrated that the presence of a dipole layer (e.g., composed of negatively charged oxygen ions and positively charged rare earth ions) at the semiconductor surface can lower the electron affinity by up to 3 eV provided equal concentrations of oppositely charged adsorbate ions. It is also shown that if the surface concentration of negatively charged oxygen ions is higher than the surface concentration of positively charged metal ions, the lowering of the electron affinity becomes smaller due to the upward band bending in the space charge region in the semiconductor; otherwise, the lowering of the electron affinity becomes larger due to the downward band bending. This effect allows technological proposals to be formulated for obtaining surfaces with minimum work function values in modern field-emission-based electronic devices. In the framework of the proposed model, the work function was evaluated for the OH-functionalized MXene. The corresponding value for the unfunctionalized MXene equals about 4.5 eV, being practically independent of the number of Ti and C layers (from 1 to 9 layers). The OH-functionalization lowers it down to about 1.6 eV, and this value is also practically independent of the number of atomic layers in MXene. Experimental approaches to obtain cathodes with low work function/low electron affinity are described. They are aimed at creating a spatial separation of electric charges in the near-surface cathode region perpendicularly to the surface plane. The corresponding spatial distributions of positive and negative charges are characterized by their localization either in two different atomic planes or in one plane and an extended space region (the latter variant is typical of semiconductor substrates). The technologies for producing such surfaces are based on various methods of adsorbate deposition onto the metal or semiconductor substrate: physical vapor deposition, chemical vapor deposition, liquid phase deposition, diffusion from the substrate bulk, and so forth. Particular attention is paid to the experimental works dealing with the adsorbtion of rare earth metals (Ce, Gd, Eu) and the coadsorbtion of oxygen onto the Si, Ge, and Mo surfaces (in a nano-structured state as well), which results in the dipole layer formation and the work function reduction. Publishing house "Academperiodika" 2023-10-02 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023194 10.15407/ujpe68.8.549 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 8 (2023); 549 Український фізичний журнал; Том 68 № 8 (2023); 549 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe68.8 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023194/3020 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023194/3021 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine