Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
The effect of trapping on the transient and steady-state lifetimes of excess carriers is investigated in InSb of n-type conductivity. Photoconductive decay and direct current measurements are used to characterize the starting material and infrared photodiodes. The large difference between the transi...
Збережено в:
| Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
|---|---|
| Дата: | 2024 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023240 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Організація
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2023240 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20232402024-02-06T11:45:47Z Recombination and Trapping of Excess Carriers in n-InSb Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb Tetyorkin, V.V. Tkachuk, A.I. Lutsyshyn, I.G. InSb нерiвноважнi носiї час життя рекомбiнацiя прилипання iнфрачервонi фотодiоди InSb lifetime recombination and trapping effects infrared photodiodes The effect of trapping on the transient and steady-state lifetimes of excess carriers is investigated in InSb of n-type conductivity. Photoconductive decay and direct current measurements are used to characterize the starting material and infrared photodiodes. The large difference between the transient and steady-state lifetimes is explained by the trapping of minority carriers at the acceptor centers within the two-level recombination model. The recombination parameters of the traps are estimated. В статтi дослiджується вплив ефекту прилипання на перехiдний i стацiонарний час життя нерiвноважних носiїв заряду для зразкiв InSb провiдностi n-типу. Вимiрювання кiнетики фотопровiдностi та постiйного струму було використано для характериcтики вихiдного матерiалу та iнфрачервоних фотодiодiв. Велика рiзниця мiж перехiдним i стацiонарним часом життя пояснюється прилипанням неосновних носiїв на акцепторних пастках у рамках моделi дворiвневої рекомбiнацiї. Оцiнено рекомбiнацiйнi параметри пасток. Publishing house "Academperiodika" 2024-02-06 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023240 10.15407/ujpe69.1.45 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 69 No. 1 (2024); 45 Український фізичний журнал; Том 69 № 1 (2024); 45 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe69.1 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023240/3071 Copyright (c) 2024 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
InSb нерiвноважнi носiї час життя рекомбiнацiя прилипання iнфрачервонi фотодiоди InSb lifetime recombination and trapping effects infrared photodiodes |
| spellingShingle |
InSb нерiвноважнi носiї час життя рекомбiнацiя прилипання iнфрачервонi фотодiоди InSb lifetime recombination and trapping effects infrared photodiodes Tetyorkin, V.V. Tkachuk, A.I. Lutsyshyn, I.G. Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb |
| topic_facet |
InSb нерiвноважнi носiї час життя рекомбiнацiя прилипання iнфрачервонi фотодiоди InSb lifetime recombination and trapping effects infrared photodiodes |
| format |
Article |
| author |
Tetyorkin, V.V. Tkachuk, A.I. Lutsyshyn, I.G. |
| author_facet |
Tetyorkin, V.V. Tkachuk, A.I. Lutsyshyn, I.G. |
| author_sort |
Tetyorkin, V.V. |
| title |
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb |
| title_short |
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb |
| title_full |
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb |
| title_fullStr |
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb |
| title_full_unstemmed |
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb |
| title_sort |
рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-insb |
| title_alt |
Recombination and Trapping of Excess Carriers in n-InSb |
| description |
The effect of trapping on the transient and steady-state lifetimes of excess carriers is investigated in InSb of n-type conductivity. Photoconductive decay and direct current measurements are used to characterize the starting material and infrared photodiodes. The large difference between the transient and steady-state lifetimes is explained by the trapping of minority carriers at the acceptor centers within the two-level recombination model. The recombination parameters of the traps are estimated. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2024 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023240 |
| work_keys_str_mv |
AT tetyorkinvv recombinationandtrappingofexcesscarriersinninsb AT tkachukai recombinationandtrappingofexcesscarriersinninsb AT lutsyshynig recombinationandtrappingofexcesscarriersinninsb AT tetyorkinvv rekombínacíâtaprilipannânerívnovažnihnosíívvninsb AT tkachukai rekombínacíâtaprilipannânerívnovažnihnosíívvninsb AT lutsyshynig rekombínacíâtaprilipannânerívnovažnihnosíívvninsb |
| first_indexed |
2024-03-30T03:10:11Z |
| last_indexed |
2024-03-30T03:10:11Z |
| _version_ |
1804810398415716352 |