Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
TlInSe2 films with thickness from 10 to 200 nm were thermally evaporated on silicon and silicate glass substrates. Micro-Raman spectra measured at a moderate excitation (532 nm, 4 kW/cm2) confirm the amorphous character of the films. Narrow features revealed in the spectra at an excitation power den...
Збережено в:
| Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
|---|---|
| Дата: | 2024 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023243 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Організація
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2023243 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20232432024-01-06T13:49:58Z Laser-Induced Transformations in Thermally Evaporated Thin TlInSe2 Films Studied by Raman Spectroscopy Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 Azhniuk, Y.M. Gomonnai, A.V. Lopushansky, V.V. Gomonnai, O.O. Babuka, T. Loya, V.Y. Voynarovych, I.M. тонкi плiвки термiчне напилення раманiвська спектроскопiя кристалiзацiя thin films thermal evaporation Raman spectroscopy crystallisation TlInSe2 films with thickness from 10 to 200 nm were thermally evaporated on silicon and silicate glass substrates. Micro-Raman spectra measured at a moderate excitation (532 nm, 4 kW/cm2) confirm the amorphous character of the films. Narrow features revealed in the spectra at an excitation power density of 40 kW/cm2 show the evidence for the formation of TlInSe2 , TlSe, and In2Se3 crystallites in the laser spot. For thin (10–30 nm) films, the rod-shaped TlInSe2 crystallites are shown to be oriented within the film plane. The crystallite formation is governed by the thermal effect of the tightly focused laser beam. Плiвки TlInSe2 товщиною вiд 10 до 200 нм отримано термiчним напиленням на пiдкладинки з кремнiю та силiкатного скла, що перебували при кiмнатнiй температурi. Мiкрораманiвськi спектри, вимiрянi при помiрнiй густинi потужностi збудження (532 нм, 4 кВт/см2), пiдтверджують аморфний характер отриманих плiвок. При пiдвищеннi густини потужностi до 40 кВт/см2 у спектрах з’являються вузькi лiнiї, спектральне положення яких вказує на формування кристалiтiв TlInSe2, а також TlSe та In2Se3 у мiсцi падiння лазерного променя на поверхню плiвки. Показано, що для тонких (10–30 нм) плiвок кристалiти TlInSe2 мають видовжену форму i орiєнтованi у площинi плiвки. Утворення кристалiтiв обумовлене локальним нагрiванням плiвки сильно сфокусованим лазерним пучком. Publishing house "Academperiodika" 2024-01-06 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023243 10.15407/ujpe68.12.816 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 12 (2023); 816 Український фізичний журнал; Том 68 № 12 (2023); 816 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe68.12 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023243/3061 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
тонкi плiвки термiчне напилення раманiвська спектроскопiя кристалiзацiя thin films thermal evaporation Raman spectroscopy crystallisation |
| spellingShingle |
тонкi плiвки термiчне напилення раманiвська спектроскопiя кристалiзацiя thin films thermal evaporation Raman spectroscopy crystallisation Azhniuk, Y.M. Gomonnai, A.V. Lopushansky, V.V. Gomonnai, O.O. Babuka, T. Loya, V.Y. Voynarovych, I.M. Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 |
| topic_facet |
тонкi плiвки термiчне напилення раманiвська спектроскопiя кристалiзацiя thin films thermal evaporation Raman spectroscopy crystallisation |
| format |
Article |
| author |
Azhniuk, Y.M. Gomonnai, A.V. Lopushansky, V.V. Gomonnai, O.O. Babuka, T. Loya, V.Y. Voynarovych, I.M. |
| author_facet |
Azhniuk, Y.M. Gomonnai, A.V. Lopushansky, V.V. Gomonnai, O.O. Babuka, T. Loya, V.Y. Voynarovych, I.M. |
| author_sort |
Azhniuk, Y.M. |
| title |
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 |
| title_short |
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 |
| title_full |
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 |
| title_fullStr |
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 |
| title_full_unstemmed |
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2 |
| title_sort |
раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках tlinse2 |
| title_alt |
Laser-Induced Transformations in Thermally Evaporated Thin TlInSe2 Films Studied by Raman Spectroscopy |
| description |
TlInSe2 films with thickness from 10 to 200 nm were thermally evaporated on silicon and silicate glass substrates. Micro-Raman spectra measured at a moderate excitation (532 nm, 4 kW/cm2) confirm the amorphous character of the films. Narrow features revealed in the spectra at an excitation power density of 40 kW/cm2 show the evidence for the formation of TlInSe2 , TlSe, and In2Se3 crystallites in the laser spot. For thin (10–30 nm) films, the rod-shaped TlInSe2 crystallites are shown to be oriented within the film plane. The crystallite formation is governed by the thermal effect of the tightly focused laser beam. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2024 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023243 |
| work_keys_str_mv |
AT azhniukym laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT gomonnaiav laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT lopushanskyvv laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT gomonnaioo laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT babukat laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT loyavy laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT voynarovychim laserinducedtransformationsinthermallyevaporatedthintlinse2filmsstudiedbyramanspectroscopy AT azhniukym ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 AT gomonnaiav ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 AT lopushanskyvv ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 AT gomonnaioo ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 AT babukat ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 AT loyavy ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 AT voynarovychim ramanívsʹkedoslídžennâíndukovanihlazernimvipromínûvannâmperetvorenʹutermíčnonapilenihtonkihplívkahtlinse2 |
| first_indexed |
2024-03-30T03:10:11Z |
| last_indexed |
2024-03-30T03:10:11Z |
| _version_ |
1804810398717706240 |