Запис Детальніше

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ВЫСОКОЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ

Науковий журнал «Радіоелектроніка, інформатика, управління»

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
##plugins.schemas.marc.fields.042.name## dc
 
##plugins.schemas.marc.fields.245.name## ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ВЫСОКОЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ
 
##plugins.schemas.marc.fields.720.name## Nikonov, A.Y.; Zaporizhzhia State Engineering Academy
Nebesniuk, O.Y.; Zaporizhzhia State Engineering Academy
Shmaly, S.L.; Zaporizhzhia State Engineering Academy
Nikonova, Z.A.; Zaporizhzhia State Engineering Academy
 
##plugins.schemas.marc.fields.653.name## radiation, doping impurity, concentration.
 
##plugins.schemas.marc.fields.520.name## In the article the results of experimental research mechanisms interaction high-energy radiation on silicon.
 
##plugins.schemas.marc.fields.260.name## Zaporizhzhya National Technical University
2013-06-17 00:00:00
 
##plugins.schemas.marc.fields.856.name## application/pdf
http://ric.zntu.edu.ua/article/view/14230
 
##plugins.schemas.marc.fields.786.name## Радіоелектроніка, iнформатика, управління; № 1 (2012): Радіоелектроніка, інформатика, управління
 
##plugins.schemas.marc.fields.546.name## uk
 
##plugins.schemas.marc.fields.540.name## Copyright (c) 2014 Радіоелектроніка, iнформатика, управління