Електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію
|
|
| Creator |
Задорожний, Олександр Олегович
|
|
| Contributor |
Коваль, Вікторія Михайлівна
|
|
| Subject |
гетероструктура
нанокремній фотоварікап напівпровідники |
|
| Description |
Роботу викладено на 94 сторінках, вона містить 5 розділів, 38 ілюстрацій, 26 таблиць і 34 джерела в переліку посилань. Об’єктом дослідження є напівпровідникові структури на основі нанокремнію. Предмет роботи – оцінка якості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію. Мета роботи – дослідити електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію. В першому розділі подано огляд літератури, в якому розглядається аналіз теоретичних основ роботи напівпровідникових структур. В другому розділі роботи проводився огляд методів аналізу та оцінки якості межі поділу напівпровідникових структур. В третьому розділі наводяться результати дослідження електрофізичних властивостей межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію. В четвертому розділі наводяться результати дослідження впливу якості межі поділу на характеристики гетероструктурних фотоварікапів на основі нанокремнію. В п’ятому розділі описана розробка старт-ап проекту на основі виконаної дисертаційної роботи. The work presented on 94 pages consists of 5 parts, 38 figures, 26 tables and 34 sources in the list of references. The object of study is semiconductor structures based on nanosilicon. The subject of work - evaluation of the quality of the interfaces in semiconductor structures, based on nanosilicon. The purpose of the work is to research electro-physical properties of the interfaces in semiconductor structures based on nanosilicon. The first section provides an overview of the literature, which addresses the analysis theoretical basics of operation of semiconductor structures. In the second chapter of work, overview of analysis methods and evaluation of the quality of interfaces in semiconductor structures were conducted. In the third section, the results of researches of electro-physical properties of the interfaces in semiconductor structures based on nanosilicon are presented. In the fourth section, the results of impact of the quality of interfaces in semiconductor structures, based on nanosilicon are presented. In the fifth section the startup project development followed from the carried out thesis is described. |
|
| Date |
2018-05-21T08:03:11Z
2018-05-21T08:03:11Z 2018 |
|
| Type |
Master Thesis
|
|
| Identifier |
Задорожний, О. О. Електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Задорожний Олександр Олегович. – Київ, 2018. – 93 с.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/22970 |
|
| Language |
uk
|
|
| Format |
93 с.
application/pdf |
|
| Publisher |
Київ
|
|