Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електронної та кристалічної структур
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електронної та кристалічної структур
|
|
| Creator |
Ромака, В.А.
Стадник, Ю.В. Ромака, В.В. Лагун, А.Е. |
|
| Subject |
електронна густина нтерметалевий напівпровідник
electronic density ntermetallic semiconductor |
|
| Description |
Національний університет “Львівська політехніка”, Львівський національний університет імені Івана Франка Розраховано розподіл електронної густини (DOS) та досліджено структурні характерис- тики інтерметалевого напівпровідника ZrNiSn1-xInx, х = 0 ÷ 0,15. Виявлено локальні струк- турні розупорядкування та запропоновано механізм взаємного заміщення атомів Zr, Sn та In. The structural descriptions and electronic density of states (DOS) calculation, as well concentration range х = 0 ÷ 0.15 impurity concentrations for the ZrNiSn1-xInx intermetallic semiconductor. The local disorderings in the ZrNiSn1-xInx lattice were found and the mechanism of the reciprocal substitution of the Zr, Sn, and In atoms was proposed. |
|
| Date |
2009-12-30T14:24:36Z
2009-12-30T14:24:36Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ромака В.А. Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електронної та кристалічної структур. / В.А. Ромака , Ю.В. Стадник , В.В. Ромака , А.Е. Лагун // Автоматика, вимірювання та керування : [зб. наук. пр.] / відп. ред. В. Б. Дудикевич. - Л. : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2007. - С. 104-108. - (Вісник Нац. ун-ту "Львів. політехніка" ; № 574). - Бібліогр.: 7 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2192 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Національний університет “Львівська політехніка”
|
|