Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини
|
|
| Creator |
Ромака, В.А.
Крайовський, Р. Ромака, Л.П. |
|
| Subject |
акцепторні домішки
кристалічна структура |
|
| Description |
Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples. |
|
| Date |
2010-02-09T19:00:52Z
2010-02-09T19:00:52Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ромака В.А. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини. / В.А. Ромака, Р. Крайовський, Л.П. Ромака // Автоматика, вимірювання та керування №639. - Л. : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. - С. 163-168.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2356 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Національний університет “Львівська політехніка”
|
|