Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком
Mos-structure parameters stabilization by silicon substrate defects gettering with zinc |
|
| Creator |
Логуш, О. І.
Павлиш, В. А. |
|
| Subject |
парогазове середовище
кремнієві пластини |
|
| Description |
Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту. The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved. |
|
| Date |
2010-02-22T20:19:38Z
2010-02-22T20:19:38Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Логуш О. І. Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А. Павлиш // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 95–103. – Бібліографія: 17 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2544 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
|
|