Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)
Heavy-hole scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in znxcd1-xte (0.16 ≤ x ≤ 0.9) solid solution |
|
| Creator |
Малик, О. П.
|
|
| Subject |
розсіяння носія заряду
рухливість важких дірок charge carrier scattering heavy-hole mobility |
|
| Description |
Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.
|
|
| Date |
2010-02-24T17:38:08Z
2010-02-24T17:38:08Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Малик О. П. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9) / О. П. Малик // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 158–163. – Бібліографія: 31 назвa.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/2601 |
|
| Language |
ua
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
|
|