Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходом
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходом
|
|
| Creator |
Мрихін, І. О.
Заячук, Д. М. Круковський, С. І. Іжнін, О. І. Михащук, Ю. С. Григорчак, І. І. |
|
| Subject |
світловипромінювальна гетероструктура
плавний p-n-перехід метод РФЕ |
|
| Description |
Методом РФЕ в температурному інтервалі 635 – 620 оС вирощено гетероструктури n-InP:Те / p-In0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn та досліджено їхні випромінювальні, вольт-фарадні характеристики і напругу пробою. Виявлено існування кореляцій між інтенсивністю випромінювання структури за прямого зміщення та її напругою пробою за оберненого зміщення на p-n-переході. Встановлено, що найвищою інтенсивністю випромінювання володіли структури, для яких за використовуваних технологічних режимів росту легований p-InGaAsP:Zn шар нарощували не менше години. Показано, що така тривалість процесу забезпечує лінійний розподіл легуючої домішки в області p-n-переходу і величину градієнта її концентрації, меншу за 1022 см-4. Цього одночасно достатньо для забезпечення напруги пробою переходу Ud на рівні 10 В. Зроблено висновок, що величина Ud ≈ 10 В може використовуватися як критерій придатності досліджених p-n- гетероструктур для виготовлення світлодіодів. Heterostructure n-InP:Те / pIn0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn are grown by LPE method at temperature range 635 – 620 oC. Their emitting, volt-capacity characteristics and breakdown voltage are investigated. Presence of correlations between emitting intensity of structure under forward bias and its breakdown voltage under reverse bias is revealed. It is shown that the highest emitting intensity has the structures for which process of growing p-InGaAsP:Zn was continued no less than one hour. Such procedure ensures linear distribution of doping impurity at the range of p-n-junction and gradient of it concentration less than 1022 cm-4. It is enough for guarantee of breakdown voltage Ud at the level of 10 V. It is drawn a conclusion that value Ud ≈ 10 V may be used as criteria of aptitude of p-n-heterostructures under consideration for light-emitting diodes manufacturing. |
|
| Date |
2010-06-03T10:04:41Z
2010-06-03T10:04:41Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходом / І. О. Мрихін, Д. М. Заячук, С. І. Круковський, О.І . Іжнін, Ю. С. Михащук, І. І. Григорчак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 592 : Електроніка. – С. 80-87. – Бібліографія: 9 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/3912 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
|
|