Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn
|
|
| Creator |
Ревенко, Катерина
Ромака, Віталій |
|
| Subject |
temperature
thermometric element semiconductor |
|
| Description |
Crystal structure, density of electron states and electrotransport characteristics of the heavy, Co impurity, doped n-TiNiSn intermetallic semiconductor (N=9,5*10+1,9*10cm) were investigated in the T=80+380K temperature range. The variable degree of the occupation of Ni and Ti atomic positions Co atomic in the TiNi1-xCoxSn, x<0,003, lattices was established. It is equivalent to introducnion in this semiconductor the of acceptor and donor impurities.
|
|
| Date |
2010-06-15T13:17:17Z
2010-06-15T13:17:17Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ревенко К. Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn. / К. Ревенко, В. Ромака // Computer science and engineering : proc. of the third intern. conf. of toung scientists, May 14-16, 2009, Lviv, Ukraine. - Lviv, 2009 - С. 350-353.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5154 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Національний університет “Львівська політехніка"
|
|