| |
| Поле |
Співвідношення |
| |
| Title |
Features of Forming Sub-Micron Gaas-Structures on Schottky Field-Effect Transistor (SFT)
|
| |
| Creator |
Novosyadly, Stepan
Voznyak, Yuri
Vartsabiuk, Andriy
|
| |
| Subject |
Gallium arsenide
GaAs
Schottky transistors
field-effect transistor
integral circuits
|
| |
| Description |
This article describes a problem about small
Schottky barrier height for p-channel GaAs field-effect
transistors complementary pair.
|
| |
| Date |
2010-10-04T07:44:12Z
2010-10-04T07:44:12Z
2010
|
| |
| Type |
Article
|
| |
| Identifier |
Novosyadly S. Features of Forming Sub-Micron Gaas-Structures on Schottky Field-Effect Transistor (SFT). / Stepan Novosyadly, Yuri Voznyak, Andriy Vartsabiuk // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії, Міжнар. конф. TCSET(2010 Львів-Славсько, Україна) Матеріали Міжнародної конференції TCSET'2010, 23-27 лют. 2010, Львів-Славсько, Україна / "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії", Міжнар. конф. TCSET(2010 Львів-Славсько, Україна) ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л. : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2010. - 380 с. : іл. - Парал. тит. арк. англ. - C. 80
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/6220
|
| |
| Language |
en
|
| |
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
| |
