Запис Детальніше

The influence of oxygen doping of channel of organic field-effect transistor based on nickel phthalocyanine on the output parameters

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title The influence of oxygen doping of channel of organic field-effect transistor based on nickel phthalocyanine on the output parameters
 
Creator Stakhira, Pavlo
Cherpak, Vladyslav
Pakhomov, Georgiy
Volynyuk, Dmytro
Dutchak, Zoya
Hladun, Mykhaylo
 
Subject OFET
organic semiconductors
thin films
 
Description The influence of nickel phthalocyanine (NiPc)
thin film doping by oxygen on electric parameters of
organic transistor structures of Si/SiO2/NiPc/Au was
investigated. The complex analysis of structure and
electrical&physical characteristics of thin films of organic
low-molecular semiconductor after influence of oxygen
during seven days was carried out.
 
Date 2011-02-09T07:23:12Z
2011-02-09T07:23:12Z
2010
 
Type Article
 
Identifier Stakhira P. The influence of oxygen doping of channel of organic field-effect transistor based on nickel phthalocyanine on the output parameters / P. Stakhira, V. Cherpak, G. Pakhomov, D. Volynyuk, Z. Dutchak, M. Hladun // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії, Міжнародна конференція TCSET(2010 Львів-Славсько, Україна) ; Національний університет "Львівська політехніка". - Львів : Видавництво Національного університету "Львів. політехніка", 2010. - 380 с. - C. 334.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/7361
 
Language en
 
Publisher Національний університет "Львівська політехніка"