Method of research of electro-physical characteristics of semiconductor structures
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Method of research of electro-physical characteristics of semiconductor structures
|
|
| Creator |
Novosyadly, Stepan
Sorokhtej, Taras |
|
| Subject |
multicharge implantation
cluster pores cracks dislocation |
|
| Description |
In this paper the models defect in GaAs with multicharge implantation are given. |
|
| Date |
2011-02-10T11:01:45Z
2011-02-10T11:01:45Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Novosyadly S. Method of research of electro-physical characteristics of semiconductor structures / S. Novosyadly, T. Sorokhtej // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії, Міжнародна конференція TCSET(2010 Львів-Славсько, Україна) ; Національний університет "Львівська політехніка". - Львів : Видавництво Національного університету "Львів. політехніка", 2010. - 380 с. - C. 351.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/7377 |
|
| Language |
en
|
|
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|