Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures
|
|
| Creator |
Kogut, І.Т.
Scherbyak, V.М. |
|
| Subject |
SOI MOS-transistor
threshold voltage three-dimensional SOI-structure П-shaped profile gate cylinder shaped gate |
|
| Description |
This paper proposed an original approach to the analysis of the threshold voltage metal-oxidesemiconductor structures based on local three-dimensional SOI-structures. |
|
| Date |
2011-02-14T14:15:23Z
2011-02-14T14:15:23Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Kogut І.Т. Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures / І.Т. Kogut, V.M. Scherbyak // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії, Міжнародна конференція TCSET(2010 Львів-Славсько, Україна) ; Національний університет "Львівська політехніка". - Львів : Видавництво Національного університету "Львів. політехніка", 2010. - 380 с. - C. 360.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/7393 |
|
| Language |
en
|
|
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|