Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням
|
|
| Creator |
Дружинін, А. О.
Лавитська, О. М. Мар’ямова, І. Й. Панков, Ю. М. Ховерко, Ю. М. |
|
| Description |
Описується зміст теоретичних, експериментальних, технологічних науководослідних робіт із метою створення українського промислового мікроелект- ронного сенсора тиску. Обговорюється використання лазерної рекристалізації в технології сенсорів як метода покращання характеристик КНІ п’єзорезисторів. The content of R&D works (theory, experimental, design and technology) performed in the «Lviv Polytechnic» State University in order to develop commercial Ukrainian microelectronic SOI pressure sensors is presented. The use of the microzone laser recrystallisation in sensor technology as a method to obtain improved performances of SOI piezoresistor is discussed. |
|
| Date |
2011-05-27T16:15:03Z
2011-05-27T16:15:03Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, І. Й. Мар'ямова, Ю. М. Панков, Ю. М. Ховерко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 7–11. – Бібліографія: 7 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/9157 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”
|
|