Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту
|
|
| Creator |
Лопатинський, І. Є.
Стахіра, П. Й. Стахіра, Р. Й. Токарєв, І. С. |
|
| Description |
Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.
|
|
| Date |
2011-06-16T09:13:56Z
2011-06-16T09:13:56Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту / І. Є. Лопатинський, П. Й. Стахіра, Р. Й. Стахіра, І. С. Токарєв // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 104–108. – Бібліографія: 2 назви.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/9866 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”
|
|