Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN
Применение принципа близкодействия в теории рассеяния електронов в GaN The use of the short-range principle in the electron scattering theory in GaN |
|
| Creator |
Малик, О. П.
Кеньо, Г. В. |
|
| Subject |
явища переносу
розсіяння носіїв заряду нітрид галію transport phenomena charge carrier scattering gallium nitride явление переноса рассеяние носителей заряда нитрид галия |
|
| Description |
Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.
|
|
| Date |
2011-10-13T12:03:00Z
2011-10-13T12:03:00Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Малик О. П. Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN / О. П. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 696 : Фізико-математичні науки. – С. 136–140. – Бібліографія: 26 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/10298 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|