| |
| Поле |
Співвідношення |
| |
| Title |
Generation of defects in p-n-junctions that are made from GaAs and GaAlAs after the X-Ray iradiation
|
| |
| Creator |
Irkha, Vasily
Gorbachev, Victor
Mikhalaki, Valeriy
|
| |
| Subject |
p-n-junction
impurity centre
dark-patch defects
X-ray irradiation
|
| |
| Description |
The process of generation and reproduction of
dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.
|
| |
| Date |
2012-08-27T13:54:12Z
2012-08-27T13:54:12Z
2012
|
| |
| Type |
Article
|
| |
| Identifier |
Irkha V. Generation of defects in p-n-junctions that are made from GaAs and GaAlAs after the X-Ray iradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії TCSET'2012 : матеріали XI Міжнародної конференції, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012, Львів, Славське, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет "Львівська політехніка". - Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499-500. - Bibliography: 3 titles.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/13938
|
| |
| Language |
en
|
| |
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
| |
