| |
| Поле |
Співвідношення |
| |
| Title |
Express method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing
|
| |
| Creator |
Politansky, Leonid
Lesinsky, Valentin
|
| |
| Subject |
DMOS transistors
threshold voltage
|
| |
| Description |
There is shown the use of test structure for DMOS-structure threshold voltage control and correction.
|
| |
| Date |
2012-09-17T12:28:01Z
2012-09-17T12:28:01Z
2012
|
| |
| Type |
Article
|
| |
| Identifier |
Politansky L. Express method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing / Leonid Politansky, Valentin Lesinsky // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії TCSET'2012 : матеріали XI Міжнародної конференції, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012, Львів, Славське, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет "Львівська політехніка". - Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 448. - Bibliography: 2 titles. - Паралельний титульний аркуш англійською.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/14381
|
| |
| Language |
en
|
| |
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
| |
