Electrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures
|
|
| Creator |
Krajewski, T. A.
Smertenko, P. S. Luka, G. Wachnicki, L. Cherevko, A. Olkhovik, G. Zakrzewski, A. J. Godlewski, M. Guziewicz, E. |
|
| Subject |
ZnO-based Schottky diode
current–voltage characteristics differential approach atomic layer deposition (ALD) |
|
| Description |
This paper reports on the Ag/HfO2/ZnO/TiAu Schottky structures, in which the semiconducting ZnO and HfO2 layers are obtained using the low temperature Atomic Layer Deposition (ALD) method. Basing on the thermionic emission, differential and injection approaches an optimal thickness of HfO2 capping layer for the ZnO-based diode was found to be about 2.5 nm. |
|
| Date |
2012-10-10T13:28:48Z
2012-10-10T13:28:48Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Krajewski T. A. Electrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures / T. A. Krajewski, P. S. Smertenko, G. Luka, L. Wachnicki, A. Cherevko, G. Olkhovik, A. J. Zakrzewski, M. Godlewski, E. Guziewicz // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 35-36. – Паралельний титульний аркуш англійською. – Bibliography: 8 titles.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/15154 |
|
| Language |
en
|
|
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|