Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method
|
|
| Creator |
Roshchina, N. M.
Smertenko, P. S. Stepanov, V. G. Zavyalova, L. V. Lytvyn, O. S. |
|
| Subject |
ZnO/Si heterojunction
metaloorganic chemical vapour deposition current–voltage characteristics |
|
| Description |
This paper reports on the ZnO film structures obtained by MOCVD method on Si substrates. The phase composition, structure and morphology of ZnO films as well as electrophysical properties of ZnO/Si heterojunction on their base were investigated. The possible charge flow mechanisms in ZnO/Si heterojunction are discussed. |
|
| Date |
2012-10-10T13:14:35Z
2012-10-10T13:14:35Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Roshchina N. M. Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method / N. M. Roshchina, P. S. Smertenko, V. G. Stepanov, L. V. Zavyalova, O. S. Lytvyn // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 59-60. – Паралельний титульний аркуш англійською. – Bibliography: 6 titles.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/15149 |
|
| Language |
en
|
|
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|