Indium Tin Oxide films grown at room temperature by RF-magnetron sputtering in oxygen-free environment
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Indium Tin Oxide films grown at room temperature by RF-magnetron sputtering in oxygen-free environment
|
|
| Creator |
Kudryashov, D.
Gudovskikh, A. Zelentsov, K. |
|
| Subject |
rf-magnetron sputtering
Indium Tin Oxide (ITO) Oxygen-free transmittance SEM |
|
| Description |
Indium Tin Oxide (ITO) thin films were grown at room temperature (RT) in oxygen-free environment by rfmagnetron sputtering on glass and Si(100)-substrates. The effects of argon pressure, sputtering power and film thickness on the electrical and optical properties of ITO films were investigated. For a 100 nm thick ITO films grown at RT in argon pressure 1.95·10-3 mbar and sputtering power of 50 W, the transmittance was near 90% at 500 nm and sheet resistance was 50 Ohm/sq. It has been shown that the sputtering power plays an important role in electric properties of ITO films. SEM images of these samples show smooth surface with sharp substrate/ITO interface. |
|
| Date |
2012-10-10T13:17:50Z
2012-10-10T13:17:50Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Kudryashov D. Indium Tin Oxide films grown at room temperature by RF-magnetron sputtering in oxygen-free environment / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, K. Zelentsov // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 61-62. – Паралельний титульний аркуш англійською. – Bibliography: 4 titles.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/15151 |
|
| Language |
en
|
|
| Publisher |
Національний університет "Львівська політехніка"
|
|