Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5
Влияние примесной зоны на положение глубокого уровня в сильнолегированных полупроводниках типа А3 В5 The effect of impurity band on the location of the deep level in the heavily doped semiconductors |
|
| Creator |
Король, А. М.
Король, А. Н. Korol, A. |
|
| Subject |
напівпровідники
глибокі рівні домішкова зона функції Гріна схема Кейна полупроводники глубокие уровни примесная зона функции Грина схема Кейна semiconductors deep levels impurity band Green functions Kane’s scheme |
|
| Description |
Розглядається сильнолегований мілкими домішками напівпровідник, в якому є також глибокий домішковий центр; потенціал останнього задається моделлю Слетера-Костера. Показано, що положення глибокого рівня в даній системі істотно відрізняється від його положення в нелегованому напівпровіднику. Конкретний розрахунок проведено для напівпровідників типу А3В5(використано кейнівський закон дисперсії).
Рассматривается сильнолегированный мелкими примесями полупроводник, в котором существует также глубокий примесный центр; потенциал последнего задается моделью Слэтера-Костера. Показано, что положение глубокого уровня в данной системе существенно отличается от его положения в нелегированном полупроводнике. Конкретный расчет проведен для полупроводников типа А3В5 (использован кейновский закон дисперсии). We consider the heavily doped by shallow impurities semiconductor which containes the deep impurity center as well. The interaction between the shallow impurities band and the deep impurity level is evaluated. The analysis is based on the solution of the Dyson equation. It allows for determination of the Green function for a system: heavily doped semiconductor – deep center. The Green function for an impurity band is found elsewhere. The Koster – Slater model for a deep state is used in k – representation. Using the above scheme one can obtain the algebraic equation for the eigenvalues of the problem considered. Special calculations were carried out for the GaAs semiconductor where Kane dispersion low was explored. It is shown that the location of the deep level in the system under consideration differs significantly from its location in the undoped semiconductor. |
|
| Date |
2012-11-29T09:02:27Z
2012-11-29T09:02:27Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Король, А. М. Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3В5 / А. М. Король // Наукові праці НУХТ. - 2012. - № 45. – С. 94-96.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/3913 |
|
| Language |
other
|
|