Steep nonlinearity of the forward-biased current-voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Steep nonlinearity of the forward-biased current-voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier
Різка нелінійність прямозміщеної вольт-амперної характеристики системи з двобар’єрною тунельно-резонансною структурою, вбудованою в бар’єр Шоткі Резкая нелинейность прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы с двубарьерной туннельно-резонансной структурой, встроенной в барьер Шоттки |
|
| Creator |
Korol, A.
Король, А. М. Король, А. Н. Tretyak, O. Третяк, О. В. Третяк, О. В. Sheka, D. Шека, Д. І. Шека, Д. И. |
|
| Subject |
resonant-tunneling structure
тунельно-резонансна структура туннельно-резонансная структура бар’єр Шоткі вольт-амперна характеристика барьер Шоттки вольт-амперная характеристика Schottky barrier current-voltage characteristic |
|
| Description |
A contact between a metal and the n-type semi conductor with a double-barrier resonant-tunneling structure built into the space-charge region is investigated. Besides the well-known effect in which the current falls sharply, there is an additional possibility: in this system there can also be a steep nonlinearity of the current-voltage (I-V) characteristic.
Розглядається контакт металу з напівпровідником n- типу із тунельно-резонансною структурою, вбудованою в збіднений шар. Окрім відомого ефекту різкого зменшення струму в цій системі існує додаткова можливість: різка нелінійність вольт-амперної характеристики. Рассматривается контакт металла с полупроводником n-типа с туннельно-резонансной структурой, встроенной в обедненный слой. Кроме известного эффекта резкого уменьшения тока в этой системе существует дополнительная возможность: резкая нелинейность вольт-амперной характеристики. |
|
| Date |
2012-11-29T09:15:02Z
2012-11-29T09:15:02Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Korol, A. Steep nonlinearity of the forward-biased current-voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier / A. Korol, O. Tretyak, D. Sheka // Semiconductors. - 2010. - Vol. 44, No. 4. - P. 478-481.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/3914 |
|
| Language |
other
|
|