Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов
Electronic Volodymyr Dahl East Ukrainian National University Institutional Repository
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов
Influence contition of the surface semiconductor to work of photodetector Вплив стану поверхні напівпровідників на роботу фотодетекторов |
|
| Creator |
Черников, Н.Г.
Кулышев, А.М. Черникова, И.Д. Chernikov N. G., Kulyshev A. M., Chernikova I. D. |
|
| Subject |
фотоэмиссия
квантовый выход спектральный анализ распределение электронов по энергиям работа выхода электронное сродство загиб зон полупроводники полупроводниковый фотодетектор фотоемісія квантовий вихід розподіл електронів по енергіях спектральний аналіз робота виходу електронне спорідненість загин зон напівпровідники напівпровідниковий фотодетектор photoemission quantum yield the electron energy distribution spectral analysis the work function electron affinity bend zones semiconductors semiconductor photodetector УДК 535.247.4:535.243 |
|
| Description |
Известно, что время от времени установившиеся разделы науки переживают периоды скачкообразного развития, обусловленные появлением качественно новых идей, приборов и методов измерений. Наглядный пример тому ‒ оптическая спектроскопия, которая с появлением лазерных источников света значительно преобразилась. Наряду с интенсивным развитием классических направлений возникли принципиально новые методы и приложения. Среди новых направлений особое место занимает статистический и спектральный анализ световых полей с помощью фотодетекторов – спектроскопия оптического смешения. Экспериментальные методы спектроскопии оптического смешения, в частности исследования по статистике фотоотчётов, вызвали перед экспериментаторами определенные требования к эффективности фотодетекторов. В данной работе рассматриваются методы и способы получения эффективных фотодетекторов с помощью фотоэмиссии. Відомо, що час від часу встановилися розділи науки переживають періоди стрибкоподібного розвитку, обумовлені появою якісно нових ідей, приладів і методів вимірювань. Прикладом тому є - оптична спектроскопія, яка з появою лазерних джерел світла значно змінилася. Поряд з інтенсивним розвитком класичних напрямків виникли принципово нові методи та програми. Серед нових напрямків особливе місце займає статистичний і спектральний аналіз світлових полів за допомогою фотодетекторов - спектроскопія оптичного зміщення. Експериментальні методи спектроскопії оптичного зміщення, зокрема дослідження за статистикоюфотозвітів, викликали перед експериментаторами певні вимоги до ефективності фотодетекторов. У даній роботі розглядаються методи і способи отримання ефективних фотодетекторов. We know that from time to time established branches of science are experiencing periods of abrupt, caused the emergence of a qualitatively new ideas, devices and measurement methods. An illustrative example of this - optical spectroscopy, which with the advent of the world changed dramatically laser sources. Along with the intensive development of the classic areas of any fundamentally new methods and applications. Among the new areas occupies a special place statistical and spectral analysis of the light fields with the help of photodetectors - optical mixing spectroscopy. Experimental methods of optical mixing spectroscopy, in particular studies on photostatistics, experimenters have caused to specific requirements for the efficiency of photodetectors. This paper discusses the methods and processes for the preparation of efficient photodetectors. |
|
| Date |
2017-07-26T17:20:37Z
2017-07-26T17:20:37Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов / Н. Г. Черников, А. М. Кулышев, И. Д. Черникова // Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля. - 2016. – № 5 (229). – С. 60 - 64.
http://dspace.snu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/1364 |
|
| Language |
ru
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
CНУ ім. В. Даля
|
|