Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода
|
|
| Creator |
Мазинов, А.С.
Шевченко, А.И. Быков, М.А. |
|
| Subject |
мелкозалегающий p-n переход
профиль легирования кристалла коэффициент диффузии энергия активации диффузии плотность распределения заряда нескомпенсированный заряд p-n перехода |
|
| Description |
В работе рассмотрены особенности формирования мелкозалегающего перехода и его расчета для создания фотогальванического элемента на основе монокристаллического кремния с фронтальным легированным бором. Показана неоднозначность расчетных профилей перекомпенсирующей примеси, которая зависит от точности определения констант диффузионных уравнений. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659 |
|
| Publisher |
Сумской государственный университет
|
|
| Date |
2012-12-24T09:42:02Z
2012-12-24T09:42:02Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
А.С. Мазинов, А.И. Шевченко, М.А.Быков, Ж. Нано- Электрон. Физ. 4 № 3, 03026 (2012)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659 |
|
| Language |
ru
|
|