Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника
Імовірність іонізації глибокого центру поблизу вільної поверхні напівпровідника Probability of ionization of a deep center near the free surface of a semiconductor |
|
| Creator |
Король, А. Н.
Король, А. М. Korol, A. Шека, Д. И. Шека, Д. І. Sheka, D. Воскобойников, А. М. Воскобойніков, О. М. Voskoboynikov, O. |
|
| Subject |
вероятность ионизации
глубокие центры поверхностные состояния імовірність іонізації глибокі центри поверхневі стани ionization probability deep centers surface states |
|
| Description |
Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.
Розраховується імовірність іонізації глибокого домішкового центру в напівобмеженому напівпровіднику при ізоенергетичному переході електронів в зону поверхневих станів. The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states. |
|
| Date |
2013-03-28T14:15:30Z
2013-03-28T14:15:30Z 1983 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Король, А. Н. Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника / А. Н. Король // Поверхность. Физика, химия, механика. – 1983. – Т. 9. – С. 21 – 24.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/7105 |
|
| Language |
other
|
|