The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure
Ефект різкого та сильного збільшення струму в напівпровідниковій системі : бар’єр Шоткі, що містить двобар’єрну тунельно-резонансну структуру Эффект резкого и сильного увеличения тока в полупроводниковой системе : барьер Шоттки, содержащий двубарьерную туннельную резонансную структуру. |
|
| Creator |
Korol, A.
Sheka, D. Tretyak, O. Король, А. М. Третяк, О. В. Шека, Д. І. Король, А. Н. Шека, Д. И. Третяк, О. В. |
|
| Subject |
current-voltage characteristic
resonant-tunneling structure schottky barrier вольт-амперна характеристика тунельно-резонансна структура бар’єр шоткі вольт-амперная характеристика туннельно-резонансная структура барьер шоттки |
|
| Description |
The current-voltage characteristics for the double barrier resonant-tunneling structure incorporated into the depletion region of a Schottky barrier, are evaluated and analyzed. Hence both a very sharp and strong enhancement of current through the structure considered takes place for forward bias. Обчислюється та аналізується вольт-амперна характеристика двобар’єрної тунельно-резонансної структури, вмішеної у збіднений шар бар’єру Шоткі. Показано, що спостерігається дуже різке і сильне збільшення струму в розглядуваній структурі для прямого зміщення. Вычисляется и анализируется вольт-амперная характеристика двубарьерной туннельно-резонансной структуры, помещенной в обедненный слой барьера Шотки. Показано, что наблюдается очень резкое и сильное возрастание тока в рассматриваемой структуре для прямого смещения.
|
|
| Date |
2013-04-29T10:19:00Z
2013-04-29T10:19:00Z 2001 |
|
| Type |
Other
|
|
| Identifier |
Korol, A. The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure / A. Korol, D. Sheka, O. Tretyak // Physica Status Solidi (a) 188. – 2001. - № 3. – P. 1169-1175.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/7711 |
|
| Language |
other
|
|