Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти
Резонансное туннелирование с участием глубоких центров в полупроводниковых структурах и связанные с ним эффекты Resonant tunneling with the participation of deep centers in the semiconductor structures and effects associated with it |
|
| Creator |
Король, А. М.
Король, А. Н. Korol, A. |
|
| Subject |
резонансне тунелювання
глибокі центри напівпровідникові структури глубокие центры полупроводниковые структуры резонансное туннелирование semiconductor structures deep centers resonant tunneling |
|
| Description |
В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв’язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар’єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар’єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри. В диссертации представлены результаты теоретических исследований процесса резонансного туннелирования с участием глубоких состояний в полупроводниковых структурах и связанных с ним эффектов. Рассчитываются и анализируются туннельные свойства неупорядоченных полупроводниковых сверхрешоток с глубокими примесными центрами в потенциальных барьерах. Results of the investigation of theoretical study of the resonant-tunneling process with the participation of deep states in semiconductor structures as well as the effects associated with this process are presented in these theses. Energy spectra of the double-barrier resonant-tunneling structure, asymmetric double quantum wells, superlattices with marcodefects are calculated and analyzed under the condition that deep centers are incorporated into potential barriers of these structures. |
|
| Date |
2013-06-19T09:21:46Z
2013-06-19T09:21:46Z 1999 |
|
| Type |
Other
|
|
| Identifier |
Король, А. М. Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти : автореф. дис… канд.. фіз.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолій Миколайович. – К., 1999. – 32 с.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/8362 |
|
| Language |
other
|
|