Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник
Дослідження впливу глибоких рівнів на характеристики контакта метал-напівпровідник Inestigation of the deep levels effect on the contact metal-semiconductor characteristics |
|
| Creator |
Король, А. М.
Король, А. Н. Korol, A. |
|
| Subject |
глубокие уровни
контакт металл-полупроводник промежуточный слой глибокі рівні контакт метал-напівпровідник проміжний шар deep levels contact metal-semiconductor intermediate layer |
|
| Description |
Рассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках Розглядаються характер та особливості впливу глибоких рівнів, шумові характеристики контакту метал-напівпровідників; нова модель глибокого стану донорного типу, характер і особливості діелектричного екранування в напівпровідниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors. |
|
| Date |
2013-09-05T11:38:28Z
2013-09-05T11:38:28Z 1979 |
|
| Identifier |
Король, А. М. Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник : автореф. дис… канд.. фіз.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолій Миколайович. – К., 1979. – 32 с.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548 |
|