Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics
Вплив глибоких домішкових рівнів на характеристики діода з бар’єром Шоткі Влияние глубоких примесных уровней на характеристики диода с барьером Шоттки |
|
| Creator |
Korol, A.
Король, А. М. Король, А. Н. Kitsai, M. Кіцай, М. Є. Кицай, М. Е. Strikha, V. Стріха, В. І. Стриха, В. И. Sheka, D. Шека, Д. І. Шека, Д. И. |
|
| Subject |
deep levels
Schottky barrier Бар’єр Шоткі глибокі рівні Барьер Шоттки глубокие уровни |
|
| Description |
In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor. Одержано вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики діода с бар’єром Шоткі з тонким діелектричним шаром між металом і напівпровідником при наявності довільного числа глибоких донорних рівнів. Получены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диода с барьером Шоттки с тонким диэлектрическим слоем между металлом и полупроводником при наличии произвольного числа глубоких уровней. |
|
| Date |
2013-09-27T10:16:23Z
2013-09-27T10:16:23Z 1975 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics / A. Korol, M. Kitsai, V. Strikha, D. Sheka // Solid State Electronics. – 1975. - V. 18 - P. 375.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9962 |
|
| Language |
other
|
|