Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2121/
|
|
| Title |
Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками
Морфологические и структурные изменения в полупроводниках А3В5 и А2В6 и системах на их основе, стимулированные послеростовыми обработками Morphological and Structural Changes in III-V and II-VI Semiconductors and Related Systems Caused by Post-growth Treatments |
|
| Creator |
Литвин, Оксана Степанівна
|
|
| Subject |
Спецради у інших ВНЗ
|
|
| Description |
Дисертація присвячена виявленню зв�язку наноморфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних структур, з їх внутрішньою кристалічною структурою, рівнем механічних напруг в системах як цілому та процесами на границі розділу фаз, спричиненими високотемпературними відпалами. Встановлено зв�язок морфологічних та структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром дибориду титану від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. З використанням комплексу методів рентгеноструктурного аналізу та атомно-силової мікроскопії поверхні показано пряму залежність морфологічних характеристик поверхні полікристалічних плівок від процесів структурної релаксації та перебудови як всередині плівки, так і на границі розділу плівка-підкладинка. Результати досліджень розвивають модельні уявлення про характер і походження структурних нерівноважностей багатошарових структур та процеси структурної релаксації в них, викликані зовнішніми впливами. Також вони важливі для вдосконалення технології виготовлення твердотільних напівпровідникових структур для мікроелектронних та оптичних пристроїв, оптимізації їх параметрів та підвищення ефективності роботи. Диссертация посвящена обнаружению связи наноморфологии поверхности поликристаллических пленок с их внутренней структурой, уровнем механических напряжений в полупроводниковых системах, компонентами которых они являются, а также процессами на границе раздела фаз, вызванными высокотемпературными отжигами. Установлена связь морфологических и структурных характеристик поликристаллических пленок ZnS:Cu с условиями их получения и послеростовых обработок. А именно, показано, что система с пленками, полученными традиционным методом электронно-лучевого напыления, после высокотемпературного отжига (~ 850 С) с одновременным легированием галлием отличается меньшим уровнем напряжения и большим размером кристаллитов и зерен на поверхности пленки по сравнению с исходными и отожженными без галлия. Этот факт позволяет определить роль галлия в этом случае как активатора рекристаллизации поликристаллической пленки под действием отжига. Структура и морфология пленок ZnS:Cu, впервые полученных химическим методом из металлорганических соединений меди и цинка определяется как типом, так и температурой подложки, что дает возможность контролировать размер зерен растущей пленки на разных подложках. Исследованы зависимость структурного совершенства контактных систем на GaAs с антидифузионным слоем диборида титана от режима магнетронного напыления и их термическая стойкость. При получении систем на базе контакта ТіВ2/GaAs методом магнетронного напыления вследствие диффузии атомов титана и бора в приповерхностные слои подложки на границе раздела формируется переходной слой – твердые растворы замещения GaxTi1-xAs та GaxВ1-xAs. Быстрый термический отжиг контактных систем ТіВ2/GaAs, Au-ТіВ2/GaAs и Au-Mo-ТіВ2-AuGe¬/GaAs приводит к структурной релаксации путем распада твердых растворов на границе раздела, аннигиляции и генерации дислокаций, их взаимодействия и как следствие – перераспределения полей упругих деформаций. При температуре 800 С в многослойных системах Au-ТіВ2/GaAs и Au-Mo-ТіВ2-AuGe¬/GaAs слой ТіВ2 теряет свои антидифузионные свойства, что обуславливает деградацию контактных систем. С использованием комплекса методов рентгеноструктурного анализа и атомно-силовой микроскопии поверхности показана прямая зависимость морфологических характеристик поверхности поликристаллических пленок от процессов структурной релаксации и перестройки как внутри пленки, так и на границе раздела пленка-подложка. Результаты исследований развивают модельные представления о характере и происхождении структурных неравновестностей многослойных структур и процессы структурной релаксации в них, визванные внешними воздействиями. Также они важны для усовершенствования технологии изготовления твердотельных полупроводниковых структур для микроэлектроники и оптических приборов, оптимизации их параметров и повышения эффективности работы. Relations between surface nanomorphology of polycrystalline thin films used in semiconductor device structures and their crystalline structure, level of mechanical strains in film-substrate structures as well as processes of structure ordering in interface at high temperature treatments were investigated using improved complex of X-ray diffraction and Atomic Force Microscopy methods. Correlation of morphological and structural charac-teristics of polycrystalline ZnS:Cu films with conditions of fabrication and post-growth treatments were determined. The structure perfection and thermoresistance of metal-GaAs systems with TiB2 аntidiffusion layers were investigated. The obtained results develop notions about the character and origin of structure irregularities in multilayer structures and structural relaxation processes stimulated by external influences. The results could be used in technology of microelectronic and optoelectronic devices for improvement of their parameters and efficiency. |
|
| Date |
2001-09-15
|
|
| Type |
Автореферат дисертації
NonPeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2121/7/O_Lytvyn_Avtoreferat_PhD_phys-math_IS.pdf
Литвин, Оксана Степанівна (2001) Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками Кандидат thesis, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. |
|