Роль механiчних напружень при iоннiй iмплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2122/
http://www.ujp.bitp.kiev.ua/?lang=uk |
|
| Title |
Роль механiчних напружень при iоннiй iмплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
Роль механических напряжений при ионной имплантации твердых растворов CdHgTe Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions |
|
| Creator |
Smirnov, A.B.
Lytvyn, O.S. Morozhenko, V.A. Savkina, R.K. Smoliy, M.I. Udovytska, R.S. Sizov, F.F. |
|
| Subject |
Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН)
|
|
| Description |
Представлено результати систематичних дослiджень структурних, оптичних та електричних властивостей напiвпровiдникових гетероструктур nCdxHg1xTe/CdZnTe (x 0,223) до та пiсля опромiнення iонами B+ та Ag+ (100 кeВ, доза iмплантацiї Q = 3 1013 см2). Здiйснено математичне моделювання процесу iонної iмплантацiї iз застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результатi опромiнення на поверхнi дослiджуваних зразкiв вiдбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневiй областi – шару з вiдмiнними вiд матрицi оптичними характеристиками. В результатi iмплантацiї епiтаксiйних шарiв CdxHg1xTe iонами бору та срiбла з однаковою енергiєю та дозою утворюється суттєво вiдмiнний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механiчними напруженнями, що вiдрiзняються на два порядки величини. Отримано значення коефiцiєнта стискання кристалiчної ґратки та механiчних напружень макс в областi радiацiйного розупорядкування твердого розчину. Обговорюється роль механiчних напружень легованого шару у перерозподiлi дефектiв i формуваннi постiмплантацiйних властивостей Cd0;223Hg0;777Te
Представлены результаты систематических исследований структурных, оптических и электрических свойств полупроводниковых гетероструктур n-CdxHg1xTe/CdZnTe (x 0;223) до и после облучения ионами B+ и Ag+(100 кeВ, доза имплантации Q = 3 1013 см2). Произведено математическое моделирование процесса ионной имплантации с использованием программного пакета TRIM_2008. Установлено, что в результате облучения на поверхности исследованных образцов происходит образование характерного рельефа, а в приповерхностной области – слоя с отличными от матрицы оптическими характеристиками. В результате имплантации ионами бора и серебра с одинаковой энергией и дозой эпитаксиальных слоев CdxHg1xTe образуется существенно отличный по характеру нарушений разупорядоченный по толщине слой с максимальными механическими напряжениями, которые отличаются на два порядка величины. Получены значения коэффициентов сжатия кристаллической решетки и механических напряжений макс в области радиационного разупорядочения твердого раствора. Обсуждается роль механических напряжений легированного слоя в формировании постимплантационных свойств Cd0;223Hg0;777Te The properties of n-CdxHg1xTe/CdZnTe (x 0.223) structures implanted with B+ and Ag+ ions with an energy of 100 keV to a dose of 3 1013 cm2 are studied. The software package TRIM 2008 was applied to simulate the ion implantation process. The surface morphology of heterostructures and their optical, mechanical and electrical properties are studied. It is found that the ion irradiation of specimens gives rise to the formation of a characteristic relief on their surface, as well as a layer in the near-surface region, where the optical parameters differ from those in the matrix. The implantation of CdxHg1xTe epitaxial layers with boron and silver ions with the same energy and to the same dose brings about the formation of a damaged layer, substantially non-uniform by the thickness and the damage character, with maximum mechanical stresses that differ by two orders of magnitude. The values of the crystal lattice contraction coefficient and the mechanical stresses max in the region of radiation-induced disordering in the solid solution are determined. The influence of mechanical stresses in the doped layer on the defect redistribution and the formation of properties of Cd0:223Hg0:777Te after the implantation is discussed |
|
| Publisher |
Відділення фізики і астрономії Національної академії наук України
|
|
| Date |
2013-02-01
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2122/7/A_Smirnov_O_Lytvyn_V_Morozhenko_etc_UkrJPh_2013_v58_IS.pdf
Smirnov, A.B. та Lytvyn, O.S. та Morozhenko, V.A. та Savkina, R.K. та Smoliy, M.I. та Udovytska, R.S. та Sizov, F.F. (2013) Роль механiчних напружень при iоннiй iмплантацiї твердих розчинiв CdHgTe Український фізичний журнал , 58 (9). с. 872-880. ISSN 2071-0186 |
|