Перетворення структури SiC/por-SiC/TiO2 в процесі швидкого термічного відпалу
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2227/
http://journals.ioffe.ru/ftp/ |
|
| Title |
Перетворення структури SiC/por-SiC/TiO2 в процесі швидкого термічного відпалу
Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO2 в процессе быстрого термического отжига Transformation of the SiC/por-SiC/TiO2 structure during the rapid thermal annealing |
|
| Creator |
Конакова, Р.В.
Коломис, А.Ф. Литвин, Оксана Степанівна Охрименко, О.Б. Стрельчук, В.В. Светличный , А.В. Линец, Л.Г. |
|
| Subject |
Наукові (входять до науковометричних баз і мають ISSN, DOI та індекс цитування журналу)
|
|
| Description |
Проведено дослідження морфології поверхні, спектрів комбінаційного розсіювання світла і фотолюмінесценції структур SiC/por-SiC/TiO2 до і після швидкої термічної обробки. Показано, що швидка термічна обробка призводить до появи у спектрах комбінаційного розсіяння смуг, характерних для сполук вуглецю. Аналіз спектрів фотолюмінесценції, яка збуджується випромінюванням з енергією, меншою ширини забороненої зони в 6H-SiC, показав, що поява фотолюмінесценції в пористому карбіді кремнію пов'язана з домішковими станами, які утворюються на поверхні за рахунок продуктів хімічних реакцій при травленні.
Проведены исследования морфологии поверхности, спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции структур SiC/por-SiC/TiO2 до и после быстрой термической обработки. Показано, что быстрая термическая обработка приводит к появлению в спектрах комбинационного рассеяния полос, характерних для соединений углерода. Анализ спектров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны в 6H-SiC, показал, что появление фотолюминесценции в пористом карбиде кремния связано с примесными состояниями, которые образуются на поверхности за счет продуктов химических реакций при травлении. The investigation of surface morphology, Raman scattering and photoluminescence of the SiC/por-SiC/TiO2 structures before and after rapid thermal annealing was conducted. It is shown that rapid thermal annealing leads to appearance in the Raman spectra of the SiC/por-SiC/TiO2 structures the bands those are characteristic for the carbon compounds. Analysis of the photoluminescence spectra excited by radiation with energies lower than the 6H-SiC band gap shows that the appearance of photoluminescence in porous silicon carbide is due to the impurity states, which are formed on the surface by the products of chemical reactions during etching |
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2012-03-07
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2227/1/R_Konakova_O_Kolomys_O_Lytyvn_etc_FTP_2012_v46_IS.pdf
Конакова, Р.В. та Коломис, А.Ф. та Литвин, Оксана Степанівна та Охрименко, О.Б. та Стрельчук, В.В. та Светличный , А.В. та Линец, Л.Г. (2012) Перетворення структури SiC/por-SiC/TiO2 в процесі швидкого термічного відпалу Физика и техника полупроводников, 46 (9). с. 1244-1247. ISSN 0015-3222 |
|