Морфологія поверхні та електричні властивості гібридних структур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p-GaSe<KNO3>
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2377/
http://journals.ioffe.ru/ftp/ |
|
| Title |
Морфологія поверхні та електричні властивості гібридних структур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями Au/Ni//n-Ga2O3/p-GaSe
Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni//n-Ga2O3/p-GaSe Surface morphology and electrical properties of hybrid structures fabricated on the basis of layered semiconductor with nanoscale ferroelectric inclusions Au/Ni//n-Ga2O3/p-GaSe |
|
| Creator |
Бахтинов, А.П.
Водопьянов, В.Н. Нетяга, В.В. Кудринский, З.Р. Литвин, Оксана Степанівна |
|
| Subject |
Наукові (входять до науковометричних баз і мають ISSN, DOI та індекс цитування журналу)
|
|
| Description |
Методом атомно-силової мікроскопії досліджено особливості формування гібридних наноструктур Au/Ni//n-Ga2O3 на ван-дер-Ваальсовій поверхні(0001)композитних наноструктур "шаруватий напівпровідник - сегнетоелектрик" (p-GaSe). При кімнатній температурі досліджено вольт-амперні характеристики і залежність імпедансного спектру гібридних структур від напруги зсуву. На вольт-амперній характеристиці спостерігаються резонансний пік і ділянка з негативним диференціальним опором. Струм на цій характеристиці досягає максімальногоо значення при певному значенні прикладеної напруги зсуву, коли відбувається перемикання електричної поляризації в нанорозмірних тривимірних включеннях у шаруватій матриці GaSe. В області високих частот (f>10 6 Гц) виявлений імпеданс індуктивного типу (велика негативна ємність структур, ~ 10-6 Ф/мм2). Цей ефект пов'язаний з транспортом спін-поляризованих електронів в послідовно з'єднаних між собою напівпровідникової композитної наноструктурі з множинними квантовими ямами p-GaSe і прямо зміщеному поляризаторі "феромагнітний метал-напівпровідник" (Au/Ni//n+ - Ga2O3/n-Ga2O3). На вольт- амперних характеристиках структур виявлений зсув максимуму (гістерезис струму) при різних напрямках зміни напруги зміщення
Методом атомно-силовой микроскопии исследованы особенности формирования гибридных наноструктур Au/Ni//n-Ga2O3 на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) композитных наноструктур ”слоистый полупроводник−сегнетоэлектрик“ (p-GaSe). При комнатной температуре исследованы вольт-амперные характеристики и зависимость импедансного спектра гибридных структур от напряжения смещения. На вольт-амперной характеристике наблюдаются резонансный пик и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Ток на этой характеристике достигает максимальногоо значения при определенном значении приложенного напряжения смещения, когда происходит переключение электрической поляризации в наноразмерных трехмерных включениях в слоистой матрице GaSe. В области высоких частот (f > 10 6 Гц) обнаружен импеданс индуктивного типа (большая отрицательная емкость структур, ∼ 10−6 Ф/мм2). Этот эффект связан с транспортом спин-поляризованных электронов в последовательно соединенных между собой полупроводниковой композитной наноструктуре с множественными квантовыми ямами p-GaSe и прямо смещенном поляризаторе ”ферромагнитный металл−полупроводник“ (Au/Ni//n+ - Ga2O3 /n-Ga2O3). На вольт-амперных характеристиках структур обнаружен сдвиг максимума (гистерезис тока) при разных направлениях изменения напряжения смещения Composite ”layered semiconductor−ferroelectric“ nanostructures (p-GaSe) have been investigated using atomic force microscopy. The current−voltage characteristics and the dependence of the impedance spectra on the bias voltage of hybrid structures were investigated at room temperature. We found that the current−voltage curve shows a resonant peak followed by a negative differential resistance slope. The current reaches a maximum at certain applied voltage due to effect of electric polarization switching in nanoscale 3D ferroelectric inclusions in the layered GaSe matrix. At high freguencies (f > 10 6 Hz) we |
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2012-03-01
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/2377/1/A_Bakhtinov_V_Vodopyanov_V_Netyaga_Z_Kudrynskyi_O_Lytvyn_FTP_2012_v46_IS.pdf
Бахтинов, А.П. та Водопьянов, В.Н. та Нетяга, В.В. та Кудринский, З.Р. та Литвин, Оксана Степанівна (2012) Морфологія поверхні та електричні властивості гібридних структур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p-GaSe<KNO3> Физика и техника полупроводников, 46 (3). с. 356-368. ISSN 0015-3222 |
|