Оптичні властивості тонких плівок GaSe/n-Si(111)
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/3081/
http://journals.ioffe.ru/ftp/ |
|
| Title |
Оптичні властивості тонких плівок GaSe/n-Si(111)
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si(111) Optical properties of thin films GaSe/n-Si(111) |
|
| Creator |
Киселюк, М.П.
Власенко, А.И. Генцарь, П.А. Вуйчик, Н.В. Заяц, Н.С. Кругленко , И.В. Литвин, Оксана Степанівна Криськов, Ц.А. |
|
| Subject |
Наукові (входять до науковометричних баз і мають ISSN, DOI та індекс цитування журналу)
|
|
| Description |
Проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбиття в діапазоні 400 - 750 нм і спектри відбиття в діапазоні 1.4 - 25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15 - 60 нм , отриманих методом термічного напилення на підкладках з монокристалічного кремнію n - Si ( 111 ). Встановлено, що на початковому етапі росту має місце острівцевий (тривимірний) ріст GaSe на підкладках n - Si (111). Показано зміну фізичних параметрів плівок по мірі збільшення товщини і наближення з точки зору кристалічної та енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбиття пояснений непрямими оптичними переходами, підсиленими екситонною взаємодією . У результатах оптичних досліджень прогнозується прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок.
Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400 − 750 нм и спектры отражения в диапазоне 1.4 − 25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15 − 60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si(111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si(111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. GaSe thin films with thicknesses of 15 − 60 nm, grown on n-Si(111) single crystal substrates by the method of thermal deposition are investigated using the atomic force microscopy and the optical methods (ellipsometry, reflection spectra in the visible range 400 − 750 nm and in the infrared range 1.4 − 25 μm). It is determined that at the initial stage of film formation GaSe island (three-dimentional) growth on a n-Si(111) substrate occurs. It is shown the change of physical parameters of the thin films with thickness increase and approach of the thin films to GaSe single crystal as to the crystal structure and the energy band structure. For films 60 nm thick the maximum of the reflectance band is explained by indirect optical transitions strengthened by exciton interaction. In the optical research results an appearance of quantum effects in the near-surface region of the thin films is assumed. |
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2010-08-01
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/3081/1/M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_FTP_2010_v44_IS.PDF
Киселюк, М.П. та Власенко, А.И. та Генцарь, П.А. та Вуйчик, Н.В. та Заяц, Н.С. та Кругленко , И.В. та Литвин, Оксана Степанівна та Криськов, Ц.А. (2010) Оптичні властивості тонких плівок GaSe/n-Si(111) Физика и техника полупроводников, 44 (8). с. 1046-1049. ISSN 0015-3222 |
|