Моделювання основних характеристик сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Моделювання основних характеристик сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe
|
|
| Creator |
Опанасюк, Анатолій Сергійович
Опанасюк, Анатолий Сергеевич Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Курбатов, Денис Ігорович Курбатов, Денис Игоревич Kurbatov, Denys Ihorovych Бересток, Таїсія Олександрівна Бересток, Таисия Александровна Berestok, Taisiia Oleksandrivna Доброжан, Олександр Анатолійович Доброжан, Александр Анатольевич Dobrozhan, Oleksandr Anatoliyovych Лопатка, Р.В. Лопатка, Р.В. Lopatka, R.V. |
|
| Subject |
плівкові сонячні елементи
телурид кадмію гетероперехід моделювання вольт-амперні характеристики квантова ефективність ККД пленочные солнечные элементы теллурид кадмия гетеропереход моделирования вольт-амперные характеристики квантовая эффективность КПД film solar cells, CdTe heterojunction modeling I-V characteristics quantum efficiency efficiency |
|
| Description |
В роботі з використанням програмного середовища SCAPS-3200 проведено моделювання темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових сонячних елементів (СЕ) на основі ідеальних гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe. Показано, що заміна традиційного матеріалу віконного шару фотоперетворювачів CdS на більш широкозонний матеріал ZnS приводить до зростання ККД. Встановлені конструктивні параметри СЕ на основі багатошарової системи n-ZnS/p-CdTe, які забезпечують їх максимальну ефективність. Вироблені рекомендації щодо оптимізації технології створення реальних дешевих та високоефективних плівкових перетворювачів сонячної енергії.
В работе с использованием программной среды SCAPS-3200 проведено моделирование темновых и световых ВАХ, а также спектральных распределений квантовой эффективности пленочных солнечных элементов (СЕ) на основе идеальных гетеропереходов n-ZnS/p-CdTe и n-CdS/p-CdTe. Показано, что замена традиционного материала оконного слоя фотопреобразователей CdS на более широкозонный материал ZnS приводит к росту их КПД. Установлены конструктивные параметры СЕ на основе многослойной системы n-ZnS/p-CdTe, обеспечивающие их максимальную эффективность. Выработаны рекомендации по оптимизации технологии создания реальных дешевых и высокоэффективных пленочных преобразователей солнечной энергии. Modeling of dark and light I-V characteristics and spectral response of quantum efficiency of solar cell films on the basis of ideal n-ZnS/p-CdTe and n-CdS/p-CdTe heterojunctions with the use of SCAPS-3200 software environment is held in this work. It is shown that the replacement of traditional material of window layer of photovoltaic devices with more wide area ZnS material leads to increase of their efficiency. The constructive parameters of solar cells on the basis of multilayer n-ZnS/p-CdTe system which provide their maximal efficiency were established. It makes possible to optimize the technology of obtaining real cheap and highly effective thin film solar energy transformers. |
|
| Publisher |
Видавничий центр НТУ «ХПІ»
|
|
| Date |
2014-02-07T08:38:07Z
2014-02-07T08:38:07Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Моделювання основних характеристик сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe / А. С. Опанасюк, Д. І. Курбатов, Т. О. Бересток,О. А. Доброжан, Р. В. Лопатка // Вісник НТУ «ХПІ». Серія: Нові рішення в сучасних технологіях. – Х. : НТУ «ХПІ», 2013. – № 18 (991). – С. 149-155.
2079-0023 http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33899 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
991;18
|
|