Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge
Константы электрон-фононного взаимодействия для оптических и междолинных фононов в n-Ge Constants of Electron-Phonon Interaction for Optical and Intervalley Phonons in n-Ge |
|
| Creator |
Луньов, С.В.
Бурбан, О.В. |
|
| Subject |
Внутрідолинне та міждолинне розсіяння
Константи електрон-фононної взаємодії Еліпсоїд обертання Тензор ефективної маси L1 модель зони провідності монокристалів n-Ge Внутридолинное и междолинное рассеяние Константы электрон-фононного взаимодействия Эллипсоид вращения Тензор эффективной массы L1 модель зоны проводимости монокристаллов n-Ge Intravalley and Intervalley scattering Constant of electron-phonon interaction Ellipsoid of revolution Effective mass tensor L1 model of conduction band of germanium crystal |
|
| Description |
Досліджено розсіяння електронів в чотирьох, двох та однодолинній L1 моделі зони провідності мо- нокристалів германію. На основі теорії анізотропного розсіяння та одержаних експериментально тем- пературних залежностей питомого опору для чотирьохдолинної L1 моделі знайдено константи елект- рон-фононної взаємодії для оптичних Ξ430 4·108 еВ/см та міждолинних фононів Ξ320 1,4·108 еВ/см в n-Ge. Показано, що в чотирьохдолинній L1 моделі зони провідності n-Ge крім розсіяння електронів на акустичних фононах та іонах домішки необхідно враховувати також розсіяння електронів на оптич- них та міждолинних фононах. Для двох та однодолинної L1 моделі домінуючим є розсіяння електро- нів на акустичних фононах. Исследовано рассеяние электронов в четирѐх, двух и однодолинной L1 модели зоны проводимости монокристаллов германия. На основании теории анизотропного рассеяния и полученных эксперимен- тально температурных зависимостей удельного сопротивления для четырѐхдолинной L1 модели найдено константы электрон-фононного взаимодействия для оптических Ξ430 4·108 еВ/см и междо- линных фононов Ξ320 1,4·108 еВ/см в n-Ge. Показано, что в четырѐхдолинной L1 модели зоны прово- димости n-Ge кроме рассеяния электронов на акустических фононах и ионах примеси необходимо учитывать также рассеяние электронов на оптических и междолинных фононах. Для двух и однодо- линной L1 модели доминирующим есть рассеяние электронов на акустических фононах. The electron scattering in case four-ellipsoidal, two-ellipsoidal and single-ellipsoidal L1-model of conduction band of Germanium is investigated. The constants of electron-phonon interaction for optical Ξ430 4·108 eV/cm and intervalley phonon Ξ320 1,4·108 eV/cm on base of the theory of anisotropy scattering and experimental temperature dependences resistivity are defined. The scattering by optical and intervalley phonon is significant in four-ellipsoidal L1-model of conduction band of n-Ge is shown. The scattering by acoustic phonons is dominated in two and single-valley L1-model. |
|
| Publisher |
Сумський державний університет
|
|
| Date |
2014-04-17T08:57:15Z
2014-04-17T08:57:15Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
С.В. Луньов, О.В. Бурбан, Ж. Нано- електрон. фіз. 6 № 1, 01020 (2014)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34440 |
|
| Language |
uk
|
|