Запис Детальніше

Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge

Electronic Archive of Sumy State University

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge
Константы электрон-фононного взаимодействия для оптических и междолинных фононов в n-Ge
Constants of Electron-Phonon Interaction for Optical and Intervalley Phonons in n-Ge
 
Creator Луньов, С.В.
Бурбан, О.В.
 
Subject Внутрідолинне та міждолинне розсіяння
Константи електрон-фононної взаємодії
Еліпсоїд обертання
Тензор ефективної маси
L1 модель зони провідності монокристалів n-Ge
Внутридолинное и междолинное рассеяние
Константы электрон-фононного взаимодействия
Эллипсоид вращения
Тензор эффективной массы
L1 модель зоны проводимости монокристаллов n-Ge
Intravalley and Intervalley scattering
Constant of electron-phonon interaction
Ellipsoid of revolution
Effective mass tensor
L1 model of conduction band of germanium crystal
 
Description Досліджено розсіяння електронів в чотирьох, двох та однодолинній L1 моделі зони провідності мо-
нокристалів германію. На основі теорії анізотропного розсіяння та одержаних експериментально тем-
пературних залежностей питомого опору для чотирьохдолинної L1 моделі знайдено константи елект-
рон-фононної взаємодії для оптичних Ξ430  4·108 еВ/см та міждолинних фононів Ξ320  1,4·108 еВ/см в
n-Ge. Показано, що в чотирьохдолинній L1 моделі зони провідності n-Ge крім розсіяння електронів на
акустичних фононах та іонах домішки необхідно враховувати також розсіяння електронів на оптич-
них та міждолинних фононах. Для двох та однодолинної L1 моделі домінуючим є розсіяння електро-
нів на акустичних фононах.
Исследовано рассеяние электронов в четирѐх, двух и однодолинной L1 модели зоны проводимости
монокристаллов германия. На основании теории анизотропного рассеяния и полученных эксперимен-
тально температурных зависимостей удельного сопротивления для четырѐхдолинной L1 модели
найдено константы электрон-фононного взаимодействия для оптических Ξ430  4·108 еВ/см и междо-
линных фононов Ξ320  1,4·108 еВ/см в n-Ge. Показано, что в четырѐхдолинной L1 модели зоны прово-
димости n-Ge кроме рассеяния электронов на акустических фононах и ионах примеси необходимо
учитывать также рассеяние электронов на оптических и междолинных фононах. Для двух и однодо-
линной L1 модели доминирующим есть рассеяние электронов на акустических фононах.
The electron scattering in case four-ellipsoidal, two-ellipsoidal and single-ellipsoidal L1-model of conduction
band of Germanium is investigated. The constants of electron-phonon interaction for optical
Ξ430  4·108 eV/cm and intervalley phonon Ξ320  1,4·108 eV/cm on base of the theory of anisotropy scattering
and experimental temperature dependences resistivity are defined. The scattering by optical and intervalley
phonon is significant in four-ellipsoidal L1-model of conduction band of n-Ge is shown. The scattering
by acoustic phonons is dominated in two and single-valley L1-model.
 
Publisher Сумський державний університет
 
Date 2014-04-17T08:57:15Z
2014-04-17T08:57:15Z
2014
 
Type Article
 
Identifier С.В. Луньов, О.В. Бурбан, Ж. Нано- електрон. фіз. 6 № 1, 01020 (2014)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34440
 
Language uk