Запис Детальніше

Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці

Electronic Archive of Sumy State University

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці
 
Creator Перекрестов, Вячеслав Іванович
Перекрестов, Вячеслав Иванович
Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
Космінська, Юлія Олександрівна
Косминская, Юлия Александровна
Kosminska, Yuliia Oleksandrivna
Мокренко, Олександр Анатолійович
Мокренко, Александр Анатольевич
Mokrenko, Oleksandr Anatoliiovych
Корнющенко, Ганна Сергіївна
Корнющенко, Анна Сергеевна
Korniushchenko, Hanna Serhiivna
Дьошин, Борис Вікторович
Дешин, Борис Викторович
Doshyn, Borys Viktorovych
Дьошин, В.Б.
Дешин, В.Б.
Doshyn, V.B.
Латишев, В.М.
Латишев, В.М.
Latyshev, V.M.
 
Subject магнетронне розпилення
магнитронное распыление
нітрид алюмінію
нитрид аллюминия
 
Description Метою проекту є дослідження й розробка нових технологічних підходів до формування конденсатів Si, SiC і AlN, основаних на явищах самоорганізації квазірівноважних стаціонарних процесів на межі поділу низькотемпературна плазма-конденсат.
 
Publisher Вид-во СумДУ
 
Date 2014-05-28T08:24:29Z
2014-05-28T08:24:29Z
2011
 
Type Technical Report
 
Identifier Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці: звіт про НДР (заключний) / Кер.: В.І. Перекрестов. - Суми: СумДУ, 2011. - 62 с.
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280
 
Language uk