Получение пористого ZnSe методом электрохимического травления
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Получение пористого ZnSe методом электрохимического травления
Отримання поруватого ZnSe методом електрохімічного травлення Production of Porous ZnSe by Electrochemical Etching Method |
|
Creator |
Дяденчук, А.Ф.
Кидалов, В.В. |
|
Subject |
Электрохимическое травление
ZnSe Потенциал плоских зон Електрохімічне травлення Потенціал плоских зон Electrochemical etching Flat-band potential |
|
Description |
В работе описываются особенности получения пористого слоя на поверхности монокристалличе- ского селенида цинка n-типа. Исследована структура поверхности, представлены микрофотографии пористых слоев обработанного кристалла ZnSe. Рассмотрен процесса образования мозаичной структу- ры в зависимости от времени травления. Рассчитано значение потенциала плоских зон, в примене- нии к использованному электролиту. У роботі описуються особливості отримання пористого шару на поверхні монокристалічного селе- ніду цинку n-типу. Досліджена структура поверхні, представлені мікрофотографії пористих шарів об- робленого кристалу ZnSe. Розглянуто процес утворення мозаїчної структури залежно від часу трав- лення. Розраховано значення потенціалу плоских зон в застосуванні до використаного електроліту. Here we describe the production features of a porous layer on the surface of n-type single-crystalline zinc selenide. The surface structure is investigated and the photomicrographs of porous layers of the treated ZnSe crystal are represented. Process of the mosaic structure formation depending on the etching time is considered. The value of the flat-band potential with respect to the used electrolyte is calculated. |
|
Publisher |
Сумский государственный университет
|
|
Date |
2014-06-03T10:00:39Z
2014-06-03T10:00:39Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Дяденчук, А.Ф. Получение пористого ZnSe методом электрохимического травления [Текст] / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т.5, №3, Ч.ІІ. - 03033.
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35612 |
|
Language |
ru
|
|