Відбивання тонких плівок GaSe/n-Si (100) та GaSe/n-Si (111)
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/3339/
http://www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/pcss/ |
|
| Title |
Відбивання тонких плівок GaSe/n-Si (100) та GaSe/n-Si (111)
Отражение тонких пленок GaSe / n-Si (100) и GaSe / n-Si (111) Reflection GaSe/n-Si (100) and GaSe/n-Si (111) Thin Films |
|
| Creator |
Киселюк, М.П.
Власенко, О.І. Генцарь, П.О. Вуйчик, Н.В. Заяц, М.С. Кругленко, І.В. Литвин, Оксана Степанівна Криськов, Ц.А. |
|
| Subject |
Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН)
|
|
| Description |
В даній роботі проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбивання в діапазоні 400-750 нм та спектри відбивання в діапазоні 1,4-25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15-60 нм на підкладках із монокристалічного кремнію n-Si(100) та n-Si(111) вирощених методом термічного напилення. Показано: зміну фізичних параметрів тонких плівок та наближення кристалічної і енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбивання пояснено непрямими оптичними переходами (оптична ширина забороненої зони E0 плівки GaSe) підсиленими екситонною взаємодією. В оптичних дослідженнях виявлено прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок. Показано, що на початковому етапі росту має місце острівковий (трьохмірний) ріст плівок GaSe на підкладках n-Si (100) та n-Si (111).
В данной работе проведено морфологические и оптические (эллипсометрия , спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм) исследование тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм на подложках из монокристаллического кремния n-Si (100) и n-Si (111) выращенных методом термического напыления. Показано: изменение физических параметров тонких пленок и приближения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллов. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснено косвенным оптическими переходами (оптическая ширина запрещенной зоны E0 пленки GaSe) усиленными экситонных взаимодействием. В оптических исследованиях обнаружено проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. Показано, что на начальном этапе роста имеет место островковой (трехмерный) рост пленок GaSe на подложках n-Si (100) и n-Si (111). In the work are investigated GaSe thin films with thickness of 15-60 nm grown on n-Si (100) and n-Si (111) single crystals substrates by method of thermal deposition having used the atomic force microscopy and optical methods (ellipsometry, reflection spectra in the visible range 400-750 nm and in the infrared range 1.4-25 µm). It is shown the change of physical parameters of thin films and approach crystal structure and energy band structure of thin films to GaSe single crystal. For films in the thickness of 60 nm the maximum of a band of reflection by indirect optical transitions strengthened an exciton interaction is explained. In the optical researches an appearance of quantum effects in a near-surface region of thin films is observed. It is shown that at the initial stage of growth occurs the islands (three-dimensional) growth of GaSe films on n-Si (100) and n-Si (111) substrates. |
|
| Publisher |
Прикарпатський національний університет Василя Стефаника
|
|
| Date |
2010-07-01
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/3339/1/M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_etc_PhChSS_2010_v11_IS.pdf
Киселюк, М.П. та Власенко, О.І. та Генцарь, П.О. та Вуйчик, Н.В. та Заяц, М.С. та Кругленко, І.В. та Литвин, Оксана Степанівна та Криськов, Ц.А. (2010) Відбивання тонких плівок GaSe/n-Si (100) та GaSe/n-Si (111) Фізика і хімія твердого тіла, 11 (3). с. 604-609. ISSN 1729-4428 |
|