Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3/p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/3591/
http://jnep.sumdu.edu.ua:8080/uk/component/main/about |
|
| Title |
Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3/p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару
Photosensitive n-In2O3/p-InSe Heterojunctions with Nanostructured Surface of the Frontal Layer Фоточувствительные гетеропереходы n-In2O3/p-InSe с наноструктурированной поверхностью фронтального слоя |
|
| Creator |
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.М. Кудринский, З.Р. Литвин, О.С. |
|
| Subject |
537 Електрика. Магнетизм. Електромагнетизм
539 Фізична теорія матерії |
|
| Description |
Досліджені фоточутливі гетеропереходи n-In2O3/p-InSe, в яких фронтальний шар In2O3 є наноструктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи істотно залежать від поверхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою відіграє не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно служить комірчастим дифракційним елементом. Поверхнева топологія оксиду досліджувалася за допомогою атомно-силового мікроскопа. За різних умов окислення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмірний ефект в плівці оксиду виявлений завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої повер- хні In2O3 і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фотогенерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгуку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії в спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екситонний пік в спектрі. We report on photosensitive n-In2O3/p-InSe heterojunctions with nanostructured In2O3 frontal layer. It was established that photoresponse spectra of the heterojunctions significantly depend on the surface topology of the oxide. this means that the oxide with semiconductor substrate is not only an active component of the structure, but also serves as a cell diffraction material. Surface topology of the oxide was studied by means of the atomic force microscope. At various conditions of oxidation of InSe the surface of the samples contained nanoformations preferably in the form of nanoneedles. Their location has both a disor- dered and ordered character. A dimensional optical effect in the oxide was revealed due to the anisotropic light absorption in InSe. The higher deviation of incident light from its normal direction due to a nano-structured surface is, the higher variation in the generation of carriers in the semiconductor is. These changes consist in the energy broadening of the heterojunction photoresponse spectrum as well as in the peculiarities of the excitonic line. The higher density and ordering of the nanoneedles on the oxide surface is, the higher long-wave shift and more intensive excitonic peak in the spectrum takes place. Исследованы фоточувствительные гетеропереходы n-In2O3/p-InSe, в которых фронтальный слой In2O3 является наноструктурированным. Выявлено, что спектры фоточувствительности таких гетеропереходов существенно зависят от поверхностной топологии оксида. Это свидетельствует о том, что оксид в паре с полупроводниковой подкладкой играет не только роль активной компоненты структуры, но и одновременно служит ячеистым дифракционным элементом. Поверхностная топология оксида исследовалась с помощью атомно-силового микроскопа. При разных условиях окисление InSe поверхность образцов содержала наноформирования преимущественно в форме наноигл. Их структура имела как неупорядоченный, так и упорядоченный характер. Оптический размерный эффект в пленке оксида выявлен благодаря сочетанию свойств наноструктурированной поверхности In2O3 и анизотропного поглощения света в InSe. Чем высшее отклонение падающего света от его нормального направления, вызванное наноструктурированной поверхностью оксида, тем большие изменения в фотогенерации носителей в анизотропном полупроводнике. Эти изменения заключались в расширении полосы фотоответа, а также в особенностях поведения экситонной линии в спектре гетероперехода. Чем выше плотность и упорядочение наноигл, тем более длинноволновой сдвиг полосы фотоответа и более интенсивный экситонный пик в спектре. |
|
| Publisher |
Сумський державний університет (м. Суми, Україна)
|
|
| Date |
2013-10-27
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
—
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/3591/1/Z_Kovalyuk_V_Katerynchuk_Z_Kudrynskyi_O_Lytvyn_JNEP_2013_v5_IS.pdf
Ковалюк, З.Д. та Катеринчук, В.М. та Кудринский, З.Р. та Литвин, О.С. (2013) Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3/p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару Журнал нано- та електронної фізики, 5 (3). 03027-1. ISSN 2077-6772 |
|