Multiangular and Spectral Ellipsometry for Semiconductor Nanostructures Classification
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Multiangular and Spectral Ellipsometry for Semiconductor Nanostructures Classification
Классификация мультиугловой и спектральной эллипсометрии для полупроводниковых наноструктур Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур |
|
| Creator |
Goloborodko, A.A.
Epov, M.V Robur, L.Y Rodionova, T.V. |
|
| Subject |
Polysilicon film
Spectral ellipsometry Reflection coefficient Refraction index Absorption index Полікремнієва плівка Спектральна еліпсометрія Коефіцієнт відбиття Показник заломлення, Показник поглинання Поликремниевая пленка Спектральная эллипсометрия Коеффициент отражения Показатель преломления показатель поглощения |
|
| Description |
Досліджені можливості багатопараметричного визначення напівпровідникових наноструктур на основі спектральних залежностей поляризованого випромінювання коефіцієнта відбиття Rp, Rs від кута падіння в діапазоні 200-800 нм. Експериментальні дані показали високі коефіцієнти чутливості відбивання кутової залежності від типу полікристалічних структур. Наявність додаткових спектральних екстремумів в залежності від заломлення і поглинання може бути пов'язане з розміром зерен по- лікристалічної структури і типу меж зерен. Показана можливість багатопараметричного дослідження. оптичних властивостей і товщини напівпровідникових шарів на кремнієвій підкладці. Исследованы возможности многопараметрического определения полупроводниковых нанострук- тур на основе спектральных зависимостей поляризованного излучения коэффициента отражения Rp, Rs от угла падения в диапазоне 200-800 нм. Экспериментальные данные показали высокие коэффициенты чувствительности отражения угловой зависимости от типа поликристаллических структур. Наличие дополнительных спектральных экстремумов в зависимости от преломления и поглощения может быть связано с размером зерен поликристаллической структуры и типа границ зерен. Показана возможность многопараметрического исследования оптических свойств и толщины полупроводниковых слоев на кремниевой подложке. The possibilities of multiparameter determination of semiconductor nanostructures based on spectral dependencies of polarized radiation reflection coefficient Rp, Rs on the incidence angle in the range of 200- 800 nm are investigated. Experimental data have shown high sensitivity of reflection coefficients angular dependence to the type of polycrystalline structures at the same film thickness. The presence of additional extremums in spectral dependence of refraction and absorption indexes is detected; this could be connected with grain size of polycrystalline structure and type of grain boundaries. The possibility of multiparameter optical research of properties and thickness of semiconductor layers on Si substrate is shown. |
|
| Publisher |
Sumy State University
|
|
| Date |
2014-07-25T08:19:17Z
2014-07-25T08:19:17Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
A.A. Goloborodko, M.V. Epov, L.Y. Robur, T.V. Rodionova, J. Nano- Electron. Phys. 6 No 2, 02002 (2014)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955 |
|
| Language |
en
|
|