Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2
Получение слоев AlN при магнетронном распылении алюминия в газовой смеси Ar + N2 Formation of AlN Layers at Magnetron Sputtering of Aluminum in Ar + N 2 Gas Mixture |
|
| Creator |
Корнющенко, Ганна Сергіївна
Корнющенко, Анна Сергеевна Korniushchenko, Hanna Serhiivna |
|
| Subject |
Нітрид алюмінію
Квазірівноважна стаціонарна конденсація Реактивне магнетронне розпилення Накопичувальна система плазма - конденсат Нитрид алюминия Квазиравновесная стационарная конденсация Реактивное магнетронное распыление Накопительая система плазма - конденсат Aluminum nitride Near - equilibrium steady - state condensation Reactive magnetron sputtering Plasma - condensate accumulation system |
|
| Description |
В даній роботі були проведені дослідження впливу параметрів експерименту, таких як потужність розряду, тиск робочого газу, температура ростової поверхні на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. В результаті оптимізації вказаних параметрів одержані близькі до стехіометричного складу шари AlN, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту. Проведені дослідження структури, фазового складу та мікротвердості конденсатів, які мають найбільш близькі до стехіометричних елементні склади. Мікротвердість отриманих покриттів склала 0.760÷1.12Гпа. В данной работе проведены исследования влияния параметров эксперимента, таких как мощность разряда, давление рабочего газа , температура ростовой поверхности на процесс формирования и основные характеристики слоев нитрида алюминия. В результате оптимизации указанных параметров нами получены близкие к стехиометрическому составу слоя AlN, имеющие кристаллическое строение с гексагональной решеткой типа вюрцита. Проведенные исследования структуры, фазового состава и микротвердости конденсатов, которые имеют элементные составы наиболее близкие к стехиометрическим. Микротвердость полученных покрытий составляет 0.760 ÷ 1.12 ГПа. The influence of technological parameters,such as discharge power, working gas pressure, growth surface temperature, on the formation mechanisms and main characteristics of aluminum nitride has been investigated in the work. On the basis of optimization of the stated technological parameters, the aluminum nitride layers close to stoichiometric composition having hexagonal crystal lattice of wurtzite type have been obtained.The investigations of the structure, phase composition and microhardness have been performed for the layers with elemental composition closest to the stoichiometric one.The microhardness of the layers obtained varies from 0.760 to 1.12 GPa. |
|
| Publisher |
Сумський державний університет
|
|
| Date |
2014-07-28T08:42:58Z
2014-07-28T08:42:58Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
А.С. Корнющенко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02017 (2014)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 |
|
| Language |
uk
|
|