Аналіз елементного складу плівок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE та м-PIXE
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Аналіз елементного складу плівок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE та м-PIXE
Анализ элементного состава пленок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE и μ-PIXE Analysis of the Elemental Composition of Cu2ZnSnSe4 Films by the PIXE and μ-PIXE Methods |
|
| Creator |
Опанасюк, Анатолій Сергійович
Опанасюк, Анатолий Сергеевич Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Коваль, П.В. Магілін, Д.В. Пономарев, А.А. Чеонг, Х. |
|
| Subject |
Елементний склад
Плівки Cu2ZnSnSe4 Методи PIXE μ-PIXE Элементный состав Пленки Cu2ZnSnSe4 Методы PIXE μ-PIXE Elemental composition μ-PIXE techniques Cu2ZnSnSe4 film PIXE |
|
| Description |
Методом рентгенівського характеристичного випромінювання індукованого сфокусованим протонним пучком проведено дослідження розподілу компонентів сполуки за площею плівок Cu2ZnSnSe4 μ-PІXE), а також визначено їх елементний склад (PІXE). Для реалізації методу використаний ядерний скануючий мікрозонд з енергією пучка протонів 1,5 MеВ і поперечним розміром зонда 4*4 мкм2. Плівки чотирьохкомпонентної сполуки отримані при різних фізико-технологічних режимах осадження співвипаровуванням компонентів з використанням електронно-променевої гармати. Як підкладки використано скло з підшаром молібдену нагріте до температури 400 градусів С. У результаті досліджень встановлено, що розподіл елементів по площі конденсатів є однорідним, а їх склад визначається фізикотехнологічними умовами отримання. Методом рентгеновского характеристического излучения индуцированного сфокусированным протонным пучком проведено исследование распределения компонентов соединения по площади пленок Cu2ZnSnSe4 (μ-PІXE), а также определен их элементный состав (PІXE). Для реализации метода использован ядерный сканирующий микрозонд с энергией пучка протонов 1,5 MэВ и поперечным размером зонда 4×4 мкм2. Пленки четырехкомпонентного соединения получены при разных физикотехнологических режимах осаждения соиспарением компонентов с использованием электронно- лучевой пушки. В качестве подложки использовано стекло с подслоем молибдена нагретое до температуры 400 градусов С. В результате исследований установлено, что распределение элементов по площади конденсатов является однородным, а их состав определяется физико-технологическими условиями. получения. By X-ray characteristic radiation induced by focused proton beam, the distribution of compound componentsover the area of Cu2ZnSnSe4 (μ-PІXE) films is investigated and their elemental composition (PІXE) is determined. Nuclear scanning microprobe with the proton beam energy of 1,5 MeV and the transverse dimension of the probe of 4×4 мm2 was used for the method realization. Films of fourcomponent compound were obtained under different physical and technological deposition modes by the thermal co-evaporation of the components using electron-beam gun. Sodium glass with molybdenum sublayer heated to 400 degrees C was used as the substrate. As a result of investigations it was established that the distribution of elements over the film area is homogeneous and their composition is determined by physical and echnological conditions of preparation. |
|
| Publisher |
Сумський державний університет
|
|
| Date |
2014-07-28T10:17:11Z
2014-07-28T10:17:11Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
А.С. Опанасюк, П.В. Коваль та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 2, 02019 (2014)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36040 |
|
| Language |
uk
|
|