The structure, phase and chemical composition of CZTSe thin films
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The structure, phase and chemical composition of CZTSe thin films
Структура, фазовий і хімічний склад тонких плівок CZTSe |
|
| Creator |
Опанасюк, Анатолій Сергійович
Опанасюк, Анатолий Сергеевич Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Коваль, Павло Вікторович Коваль, Павел Викторович Koval, Pavlo Viktorovych Нам, Д. Nam, D. Чеонг, Г. Cheong, H. Джеонг, А.Р. Jeong, Ah Reum Джо, В. Jo, W. Пономарьов, А.Г. Пономарев, А.Г. Ponomarev, A.G. |
|
| Subject |
CZTSe
structure phase chemical composition thin films тонкі плівки структурний аналіз PIXE RBS тонкие пленки структурный анализ structural analysys |
|
| Description |
Методами скануючої електронної мікроскопії, рентгеноструктурного аналізу, PIXI та RBS проведено дослідження тонкоплівкових зразків Cu2ZnSnSe4, отриманих співвипаровуванням компонентів з використанням електронно-променевої гармати. Аналіз дифрактограм показав, що плівки є практично однофазними і містять в основному сполуку CZTSe, яка має тетрагональну кристалічну гратку типу кістеріт. У зразках виявлена текстура росту [211]. Параметри гратки матеріалу змінювалися в діапазоні a = (0,56640-0,56867) нм, с = (1,13466-1,13776) нм, с/2a = 0,9983-1,0017, що добре корелює з довідковими даними по стабільній фазі сполуки CZTSe. Аналіз результатів PIXE, дозволив оцінити вплив умов росту на хімічний склад зразків, а також була побудована карта розподілу елементів по поверхні зразків.
Методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, PIXI и RBS проведено исследование тонкопленочных образцов Cu2ZnSnSe4, полученных со-испарением компонентов с использованием электронно-лучевой пушки. Анализ дифрактограмм показал, что пленки являются практически однофазными и содержат в основном соединение CZTSe, имеющее тетрагональную кристаллическую решетку типа кистерит. В образцах обнаружена текстура роста [211]. Параметры решетки материала изменялись в диапазоне a = (0,56640-0,56867) нм, с = (1,13466-1,13776) нм, с/2a = 0,9983-1,0017, что хорошо коррелирует со справочными данными по стабильной фазе соединения CZTSe. Анализ результатов PIXE, позволил оценить влияние условий роста на химический состав образцов, а также была построена карта распределения элементов по поверхности образцов. Cu2ZnSnSe4 thin films obtained by co-evaporation of components using an electron beam evaporation system were investigated by scanning electron microscopy, X-ray analysis, PIXI and RBS methods. The analysis of the diffraction patterns showed that the films are almost single-phased and contain mainly CZTSe compound, which has a tetragonal kesterite lattice type. The samples have textural growth of [211]. The lattice parameters of the material varied in the range of a = (0.56640-0.56867) nm, c = (1.13466-1.13776) nm, c/2a = 0,9983-1,0017 which correlate well with the reference data in a stable phase CZTSe compounds. From our PIXE analyses we assessed the influence of the growth conditions on the samples’ chemical composition and mapped the surface distribution. Ця робота проводиться за підтримки Державного агентства України з питань науки, інновацій та інформатизації, а також Міністерства освіти і науки України (грант № 0113U000131) та Національного науково-дослідницького фонду Кореї (ННД) що фінансується Міністерством науки, ІКТ та майбутнього планування (MSIP) Корея (№ 2011-0019204). |
|
| Publisher |
STC "Institute for Single Crystals"
|
|
| Date |
2014-10-17T06:30:41Z
2014-10-17T06:30:41Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
The structure, phase and chemical composition of CZTSe thin films / Koval P.V., Opanasyuk A.S., Cheong H., Ponamarev A.G. // «Functional Materials» 2014, V.21, №2, P.1-7
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37074 |
|
| Language |
en
|
|